Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения
- Автор:
Пащенко, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Ростов-на-Дону
- Количество страниц:
122 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизмы переноса возбуждения в кристаллах щелочно-земельных фторидов, активированных ионами церия и празеодима | Шендрик, Роман Юрьевич | 2011 |
| Параметры диэлектрических спектров полимерных полупроводников полиаценхинонов и их зависимость от длительности процесса поликонденсации | Мухаева, Лариса Васильевна | 2011 |
| Феноменологическая теория кристаллизации : Применение к кристаллам, жидким кристаллам и квазикристаллам | Лебедюк, Игорь Васильевич | 1999 |