Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения
- Автор:
Пащенко, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Ростов-на-Дону
- Количество страниц:
122 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения», автор — Пащенко, Александр Сергеевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Ростов-на-Дону в 2012 году. Объем работы: 122 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005495100. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур CdxHg1-xTe на подложках GaAs для инфракрасных фотоприёмников | Михайлов, Николай Николаевич | 2005 |
| Функциональные свойства никелида титана при комплексных физико-механических воздействиях | Беляев, Сергей Павлович | 2011 |
| Влияние внешних воздействий на поверхностную энергию и поверхностное сопротивление металлических систем | Манукянц, Артур Рубенович | 2010 |