Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения
- Автор:
Пащенко, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Ростов-на-Дону
- Количество страниц:
122 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние электромагнитных полей на фазовый состав и структуру жидко-твердых сплавов с различной проводимостью твердых включений | Афашоков, Владимир Зейтунович | 2011 |
| Энергии образования и атомные конфигурации плоских и точечных дефектов в упорядоченных ОЦК сплавах | Баранов, Михаил Александрович | 1999 |
| КИНЕТИКА РАСТВОРЕНИЯ И РОСТ КЛАСТЕРОВ В РАСТВОРАХ ФУЛЛЕРЕНОВ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ УСЛОВИЯХ ПРИГОТОВЛЕНИЯ | Нармандах Жаргалан | 2017 |