Получение фотоактивных материалов на основе Si и InAs методом ионно-лучевого осаждения
- Автор:
Пащенко, Александр Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Ростов-на-Дону
- Количество страниц:
122 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дислокационная динамика и кинетика кристаллографического скольжения | Пуспешева, Светлана Ивановна | 2001 |
| Магнитные и механические свойства сплава Fe80 C14 Si6 в аморфном и нанокристаллическом состояниях | Тарханов, Андрей Константинович | 2003 |
| Структура, магнитные и магниторезистивные свойства трехслойных пленок Co/Cu/Co | Буркова, Ирина Николаевна | 2001 |