Высококонцентрированные нанокомпозиты и многослойные нанотолщинные фоторецепторы

• Автор: Денисюк, Игорь Юрьевич
• Шифр специальности: 01.04.05
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 272 с. : ил

Оглавление
Обозначения и сокращения
Введение
Часть 1. Новые оптические и полупроводниковые материалы на основе объемных высококонцентрированных композиций из нанокристаллов полупроводников в органическом связующем
Глава 1.1 Технология высококонцентрированных нанокомпозитов [нанокристаллы полупроводника]-[органическая матрица]
1.1.1 Формулировка идеи высококонцентрированных композитов из нанокристаллов неорганических полупроводников в органической (полимерной) матрице
1.1.2 Синтез нанокристаллов неорганических полупроводников в растворах полимеров (этап 1)
1.1.3. Синтез нанокристаллов неорганических полупроводников в растворах полимеров с предельно высокими концентрациями (этап 2)
1.1.4. Синтез нанокристаллов неорганических полупроводников в низкомолекулярной органической матрице
1.1.5. Синтез нанокристаллов органических полупроводников (красителей) в полимерной матрице
Глава 1.2. Свойства высококонцентрированных нанокомпозитов [нанокристаллы неорганического полупроводника]-[органическая матрица]
1.2.1. Спектры оптического поглощения
нанокомпозитов
1.2.2. Рефракция нанокомпозитов
1.2.3. Люминесценция нанокомпозитов
1.2.4. Рассеяние света (мутность) в среде из нанокомпозитов
1.2.5. Полупроводниковые свойства нанокомпозитов
1.2.6. Определение размеров нанокристаллов в нанокомпозитах
Глава 1.3 Свойства высококонцентрированных нанокомпозитов [нанокристаллы органического полупроводника]-[органическая матрица]
1.3.1. Спектры поглощения нанокомпозитов
1.3.2. Люминесценция нанокомпозитов

1.3.3. Нанокомпозиты как полупроводниковая среда
1.3.4. Спектральная сенсибилизация внутреннего фотоэффекта в полимерах нанокристаллами красителей
Глава 1.4. Структура высококонцентрированных нанокомпозитов [нанокристаллы неорганического полупроводника]-[органическая матрица]
1.4.1. Структурные, механические и технологические свойства нанокомпозитов
1.4.2. Объемные и весовые соотношения в двухкомпонентных нанокомпозитах [нанокристаллы полупроводника]-[низкомолекулярные органические оболочки]
1.4.3. Рефракция нанокомпозитов двух- и трехкомпонентной структуры
1.4.4. Технология нанокомпозитов двухкомпонентной структуры [нанокристаллы]-[низкомолекулярная оболочка]
без матрицы
1.4.5. Нанокомпозиты структуры [нанокристаллы]-[низкомолекулярная оболочка] с модифицированной (пассивированной) поверхностью оболочек
1.4.6. Химические превращения нанокомпозитов
путем химических реакций с веществом оболочек
(химическое модифицирование оболочек в нанокомпозитах)
1.4.7. Химический состав и структура синтезированных нанокомпозитов
Часть 2. Физические принципы построения планарных многослойных наноструктурированных полупроводниковых
сенсоров для записи изображений
Г лава 2.1. Методика изготовления составных элементов многослойных сенсоров
2.1.1. Проводящее покрытие
2.1.2. Изготовление генерационно-инжекционных слоев
на основе халькогенидных полупроводников
2.1.3. Изготовление генерационно-инжекционных слоев
из фталоцианинов методом вакуумной сублимации
2.1.4. Разработка лабораторной технологии нанесения транспортно-термопластических слоев способом электростатического распыления

Глава 2.2. Исследование физических процессов в составных элементах многослойных ЭФ и ФТП структур
2.2.1. Физические процессы в генерационно-инжекционном слое. Проблема согласования структуры при ее функционировании в последовательном ФТП и ЭФ процессах
2.2.2. Физические процессы в транспортнотермопластическом слое. Кинетика формирования проявленного (фазового) ФТП изображения
2.2.3. Физические процессы на границе генерационно-инжекционного и транспортно-термопластического слоев
2.2.4. Генерационные слои на основе сублимированных в вакууме фталоцианинов
2.2.5. Физические процессы на границе верхняя свободная поверхность ЭФ и ФТП структуры - окружающая газовая атмосфера
Глава 2.3. Разработка новых ФТП материалов
2.3.1. Оптимизация структуры, обеспечивающей максимальные сенситометрические и
структурометрические параметры ФТП материалов
2.3.2. Разработка ФТП материалов, обеспечивающих повышение их чувствительности за счет расширения спектральной характеристики до 820 нм без ухудшения разрешающей способности
2.3.3. Использование процесса переноса носителей заряда через границу между элементами структуры ФТП материала для внутреннего растрирования записываемого изображения
Глава 2.4. Новые ФТП материалы
2.4.1. Свойства новых реверсивных ФТП материалов
2.4.2. Области использования новых ФТП материалов
Заключение
Литература

внешнему виду выглядит как оптически однородная прозрачная жидкость. При его нанесении на подложку получаются прозрачные слои нанокомпозита в ПВП с содержанием полупроводникового
компонента 35 об, %. Однако твердый нанокомпозит, полученный в осажденных слоях теряет растворимость из-за сшивания полимерной матрицы нанокристаллами при высыхании.
Аналогичным образом может быть приготовлен нанокомпозит из СбБ с содержанием полупроводника 15 об. %.
Предложенный способ удалось реализовать только для двух полупроводниковых материалов и одного полимера, поскольку в нем для осуществления промывки через межфазную границу как промежуточной стадии синтеза необходимо наличие у полимера растворимости в изопропиловом спирте и хлороформе (причем в хлороформе больше, чем в изопропиловом спирте) и отсутствие растворимости в воде.
Итак, создан способ синтеза нанокомпозитов халькогенидных неорганических полупроводников в полимерной матрице, который обеспечивает изготовление растворов нанокомпозитов без стадии промежуточной сушки. В нем на протяжении всего процесса синтеза плоть до получения раствора продукта, пригодного для изготовления твердых образцов поливом на подложку, нанокомпозит остается в растворенном состоянии.
Способ позволил синтезировать полимерные нанокомпозиты [полупроводник]-[полимерная матрица] на основе окрашенного (СсЙ) и бесцветного (гп8) халькогенидов в поливинилпиридине и достичь более высокие, чем на этапе 1 (в предыдущем разделе) концентрации полупроводников (соответственно 15 и 35 об. %).