Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков
- Автор:
Литвинов, Владимир Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Энергетический спектр электронов и особенности оптического поглощения одномерных и двумерных SiO2-структур с дефектами замещения | Нгуен Тхи Ша | 2015 |
| Сверхпроводниковые устройства, основанные на нетривиальных фазовых и амплитудных характеристиках джозефсоновских структур | Кленов, Николай Викторович | 2008 |
| Эффективные дендритные автокатоды и механизм роста в них эмиссионных центров | Овсянников, Николай Петрович | 1984 |