Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков
- Автор:
Литвинов, Владимир Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Высокоэффективные процессы параметрической генерации света и суммирования частот излучения широкоапертурного неодимового лазера | Гуламов, Алишер Абдумаликович | 1985 |
| Упругое и неупругое взаимодействие электронов средних энергий с поверхностью твердого тела | Пронин, Владимир Петрович | 2014 |
| Эффект Джозефсона в контактах, содержащих многослойные FN структуры | Карминская, Татьяна Юрьевна | 2009 |