Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков
- Автор:
Литвинов, Владимир Георгиевич
- Шифр специальности:
01.04.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Ионно-оптические системы для электромагнитной спектрометрии высокоэнергетичных ионов | Назаров, Александр Геннадьевич | 1988 |
| Совершенство структуры и свойства пленок оксида цинка, получаемых ионным распылением | Исмаилов, Абубакар Магомедович | 2000 |
| Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий | Карабешкин, Константин Валерьевич | 2013 |