Визуализация кристаллической структуры поверхности отраженными электронами

• Автор: Пронин, Игорь Иванович
• Шифр специальности: 01.04.04
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 306 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
страница
ВВЕДЕНИЕ
Глава I ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ
ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР)
§ Е1 Особенности картин дифракции электронов в диапазоне
низких и средних энергий
§ 1.2 Принцип взаимности и ориентационная зависимость
эмиссии электронов из монокристаллов
§1.3 Теоретическое описание дифракционных эффектов
§1.4 Дифракция рентгеновских фото-и оже-электронов
§1.5 Выводы и постановка задачи исследования
Глава II МЕТОДЫ РЕГИСТРАЦИИ ДИФРАКЦИОННЫХ КАРТИН
И ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ
§2.1 Экспериментальная установка для прецизионного измерения
полных дифракционных картин
2.1.1 Система автоматической регистрации и визуализации пространственных распределений электронов
2.1.2 Методика проведения исследований
§2.2 Прибор для регистрации дифракционных картин в режиме
реального времени
2.2.1 Электронограф с микроканальным усилителем яркости изображения
2.2.2 Компьютерная обработка изображений

Глава III МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ
КАРТИН И ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДА ВИЗУАЛИЗАЦИИ
§3 Л Динамика изменения картин с энергией электронов
§3.2 Особенности картин дифракции квазиупруго рассеянных
электронов при энергии 2 кэВ
§3.3 Фокусировка отраженных электронов вдоль межатомных
направлений и визуализация кристаллического строения поверхности
§3.4 Закономерности фокусировки электронов средней энергии в
кристаллах
§3.5 Выводы
Глава IV КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
ДИФРАКЦИОННЫХ КАРТИН
§4.1 Кластерная модель однократного рассеяния
§4.2 Внутренние параметры модели и оптимизация размеров
кластера
§4.3 Сопоставление результатов модельных расчетов с
экснериментом
§4.4 Механизм формирования Кикучи-полос
§4.5 Структурный анализ поверхности высокотемпературных
сверхпроводников
§4.6 Выводы

Глава V ВИЗУАЛИЗАЦИЯ СТРОЕНИЯ УЛЬТРАТОНКИХ
ПЛЕНОК В СИСТЕМАХ С РЕЗКОЙ МЕЖФАЗОВОЙ ГРАНИЦЕЙ
§5 Л Рост пленок серебра на поверхности Мо(110)
§5.2 Пленки серебра на поверхности Si(l 11 )-(7х7)
§5.3 СистемаAg/Si(100)-(2xl)
§5.4 Адсорбция фуллеренов на поверхности Мо( 110)
§5.5 Система C60/Si(l 11 )-(7х7)
§5.6 Выводы
Глава VI ВИЗУАЛИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ
РЕАКЦИОННО-СПОСОБНЫХ МЕЖФ АЗОВЫХ ГРАНИЦ
§6.1 Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта на поверхности
Si(l 11X7x7)
§6.2 Твердофазная эпитаксия дисилицида кобальта на кремнии
§6.3 Интеркаляционно-стимулированная перестройка
поверхности VSc2(0001)
§6.4 Интеркаляция и деинтеркаляция TiS2 калием
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

Рйс.1.13. Схема, иллюстрирующая возникновение максимумов фокусировки в картинах дифракции рентгеновских фотоэлектронов [58].
Рис.1.14, Картины дифракции оже-электронов Си ЬУУ (917 эВ), полученные при эпитаксиальном росте Си на 1г(111) [59].