Механизмы рекомбинации неравновесных носителей заряда в лазерах с электронной накачкой на основе твердого раствора InGaAsSb
- Автор:
Матвеенко, Елена Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.04
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1984
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
184 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимодействие излучения УФ и видимого диапазонов с полимерными пленками : На примере азо и бинафтилсодержащих материалов | Плаксин, Вадим Юрьевич | 2000 |
| Дефекты с глубокими уровнями в тонких слоях ZnSe и разрывы зон в квантово-размерных структурах на основе ZnSe/ZnCdSe и ZnTe/ZnCdTe, выращенных методом эпитаксии из молекулярных пучков | Литвинов, Владимир Георгиевич | 2000 |
| Модификация морфологических и структурных характеристик эпитаксиальных плёнок халькогенидов свинца при электрохимической и плазменной обработках | Богоявленская, Елена Александровна | 2009 |