Фоторефрактивные эффекты в ограниченных пьезокристаллах

• Автор: Кириллов, Андрей Михайлович
• Шифр специальности: 01.04.03
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 141 с. : ил.

Содержание
Введение
1. Фоторефрактивные решетки в пьезоэлектрических кристаллах
Обзор литературы
1.1. Основные уравнения, используемые для анализа формирования фоторефрактивной решетки в пьезоэлектрических кристаллах
1.2. Упругие поля фоторефрактивных решеток в объеме кристалла
1.3. Фотоупругий вклад в модуляцию оптических свойств среды фоторефрактивной решеткой
1.4. Влияние границы кристалла на структуру фоторефрактивной решетки
1.5. Постановка задачи
2. Структура фоторефрактивной решетки вблизи границы
кристалла при диффузионном механизме записи
2.1. Приближение заданной концентрации свободных электронов в зоне проводимости
2.2. Электрические поля, сопровождающие фоторефрактивную решетку
2.3; Упругие поля, сопровождающие фоторефрактивную решетку
2.4. Анализ структуры фоторефрактивной решетки вблизи
границы пьезоэлектрических кристаллов

2.4.1. У-срез кристалла титаната бария
2.4.2. Ниобат калия
2.4.3. 2-срез титаната бария
2.4.4. Модуляция оптических свойств фоторефрактивной решеткой вблизи границы кристалла.. „
2.5. Выводы
3. Структура фоторефрактивной решетки вблизи границы кристалла с приложенным внешним электрическим полем
3.1. Теоретическая модель электрических условий на границе кристалла
3.2. Теоретическая модель фоторефрактивной решетки вблизи границы кристалла, находящегося в постоянном электрическом поле
3.3. Анализ структуры фоторефрактивной решетки вблизи границы пьезоэлектрических кристаллов в постоянном поле
3.3.1. Срез (110) кубических кристаллов класса силленитов
3.3.2. Срез (001) кубических кристаллов
3.4. Выводы
4. Анализ структуры фоторефрактивной решетки вблизи границы пьезоэлектрических кристаллов, помещенных в знакопеременное поле
4.1 Структура упругих полей фоторефрактивной решетки для
меандрового внешнего поля

4.1.1. Срез (ПО) кристаллов силленитов при ориентации вектора решетки вдоль направления [ Г11]
4.1.2. Срез (001) кристаллов силленитов
4.1.3. Срез (110) кристаллов силленитов при ориентации вектора решетки вдоль направления [001]
4.2. Модуляция оптических свойств фоторефр активной решеткой вблизи границы кристалла
4.3. Выводы
Заключение
Литература
Приложение

е"0 Г-Т+ е”о —Т = -квтМ(потке ™*(кг%) от1 од
(2.8)
Здесь цп, )лг подвижности электронов вдоль осей <7 и 4", соответственно. Так как тензор подвижности д всегда может быть приведен к диагональному виду, то, в общем случае, эффективные подвижности Мч, выражаются в виде линейной суперпозиции компонент диагонального тензора Д, цп
(пи и ти- компоненты единичных векторов я и т, направленных вдоль нормали к границе кристалла и вдоль вектора фоторефрактивной решетки в кристаллографической системе координат). В частных случаях, при ориентациях фоторефрактивного кристалла, когда оси г/ и д совпадают с кристаллографическими осями ФРК, подвижности м'ч, принимают значения из ряда цп, д22 и д33, в зависимости от геометрии задачи.
Ограничиваясь при анализе поля пространственного заряда его первой пространственной гармоникой
?>(7.0 = м0)ехр(?кг4)+к.с., (2.9)
из уравнения в частных производных (2.8) получаем обыкновенное дифференциальное уравнение, описывающее распределение ее амплитуды <рт( ?/) в кристалле [57 * -59*]:
— тк2 при 77<о. (2.10)
8п Мп ем
Решение уравнения (2.10) в общем случае имеет вид