Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах

• Автор: Михайлов, Александр Иванович
• Шифр специальности: 01.04.03, 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 364 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
В.1. Общая характеристика и краткий обзор современного состояния проблемы и актуальность темы
В.2. Цель и основные задачи диссертационного исследования
В.З. Е1аучная новизна работы
В.4. Научная и практическая значимость работы
В.5. Основные положения и результаты, выносимые на защиту
В.6. Апробация работы и публикации
В.7. Личный вклад автора
В.8. Структура диссертации
Глава 1.
РАСПРОСТРАНЕНИЕ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ
1.1. Введение
1.2. Решение дисперсионного уравнения для волн пространственного заряда в полупроводниках с ОДП с учетом частотной дисперсии дифференциальной подвижности электронов
1.3. Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов и их равновесной концентрации на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах п
1.4. Перспективы использования фосфида индия в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках с ОДП

1.5. Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шоттки
1.6. Выводы
Глава 2.
ПАРАМЕТРИЧЕСКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ
ПРОВОДИМОСТЬЮ
2.1. Усиление волн пространственного заряда комбинационных частот при взаимодействии слабой волны с волной накачки в полупроводнике с ОДП
2.2. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в полупроводниках с ОДП
2.3. Влияние рассинхронизма волн пространственного заряда на эффективность их связи при параметрическом взаимодействии в полупроводнике с ОДП
2.4. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с ОДП симметричного типа
2.5. Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе п - ОаА
2.6. Интегральный преобразователь частоты миллиметрового диапазона
на волнах пространственного заряда в полупроводниках с ОДП
2.7. Выводы

Глава 3.
ОБЩАЯ ТЕОРИЯ ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ
3.1. Введение
3.2. Уравнения Максвелла и параметрически возбуждающий ток
3.3. Уравнения для амплитуд параметрически связанных мод волн пространственного заряда
3.4. Расчет нормировочных коэффициентов для тонкопленочной полупроводниковой структуры с сильной асимметрией
3.5. Анализ упрощенного варианта параметрического взаимодействия волн пространственного заряда для тонкопленочной полупроводниковой структуры с сильной асимметрией
3.6. Выводы
Глава 4.
ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ДИОДАХ ГАННА В МИЛЛИМЕТРОВОМ ДИАПАЗОНЕ
4.1. Введение
4.2. Параметрическое усиление СВЧ колебаний в стабилизированном сверхкритическом диоде Ганна. Теоретическая модель
4.3. Параметрическое взаимодействие СВЧ колебаний в диоде Ганна. Эксперимент
4.4. Обобщенная однотемпературная модель эффекта Ганна в и-бгаДз
4.5. Влияние особенностей профиля легирования активной области на спектральный состав тока диода Ганна

В.7. Личный вклад автора Постановка всех основных задач, являющихся предметом исследований диссертации, принадлежит автору. Кроме того, автором диссертации проводился выбор методов решения всех задач, разработка алгоритмов и программ, обоснование методик экспериментов, получение всех теоретических и экспериментальных результатов и их анализ, разработка и конструирование приборов и устройств.
Общее направление и тематика диссертационного исследования выбрана автором во многом благодаря поддержке и под влиянием научных идей Заслуженного деятеля науки Российской федерации, чл.-корр. РАЕН, доктора технических наук, профессора Климова Бориса Николаевича и доктора физико-математических наук Иванченко Владимира Афанасьевича.
Автор особо признателен профессору Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета доктору физико-математических наук Барыбину Анатолию Андреевичу за содержательные и плодотворные научные стажировки (1989 г., 1993 г., 1994 г., 1997 г.). Полезные научные консультации, дискуссии и творческое сотрудничество с профессором Барыбиным A.A. имели большое значение для успеха исследований, проведенных в период с 1985 г. по 1999 г.
В.8. Структура диссертации Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, пяти приложений и списка литературы, включающего 62 ссылки на основные публикации автора по теме диссертации.