Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе a-Si:H и его сплавов
- Автор:
Мазуров, Александр Вячеславович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2004
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
245 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электрофизические и оптоэлектронные свойства гетероструктур на основе a-Si:H и его сплавов», автор — Мазуров, Александр Вячеславович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Москва в 2004 году. Объем работы: 245 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002636086. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование процессов формирования и защиты поверхности планарных p-n переходов и модернизация базовой технологии изготовления фотодиодов на основе InSb | Талимов, Алексей Владимирович | 2001 |
| Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления | Пинаев, Вячеслав Владимирович | 2011 |
| Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации | Болесов, Игорь Анатольевич | 2004 |