Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
- Автор:
Силаев, Иван Вадимович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Владикавказ
- Количество страниц:
177 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами | Кутевой, Сергей Александрович | 1998 |
| Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур | Ермошин, Иван Геннадьевич | 2009 |
| Высокочистые координационные соединения 8-оксихинолина с металлами S- и P-элементов для органических светоизлучающих диодных структур | Аккузина, Алина Александровна | 2018 |