Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
- Автор:
Силаев, Иван Вадимович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Владикавказ
- Количество страниц:
177 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства медных проводников, синтезированных методом лазерно-индуцированного осаждения металлов из раствора | Логунов, Лев Сергеевич | 2016 |
| Разработка неразрушающих методов контроля ионно-плазменных процессов формирования тонкопленочных структур и элементов оборудования для создания устройств электронной техники | Симакин, Сергей Борисович | 2009 |
| Разработка технологии формирования и исследование протонообменных световодных структур в конгруэнтных и легированных оксидом магния кристаллах ниобата лития | Масленников, Евгений Ильич | 2004 |