Разработка способа выращивания профильных монокристаллов кремния из расплава методом Чохральского
- Автор:
Силаев, Иван Вадимович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2008
- Место защиты:
Владикавказ
- Количество страниц:
177 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Получение и исследование свойств материалов на основе нанокристаллов соединений AIIBVI | Тимонина, Анна Владимировна | 2014 |
| Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства | Пинчук, Игорь Владимирович | 2001 |
| Иерархически организованные пористые газочувствительные слои системы SnO2-SiO2, полученные золь-гель методом | Пономарева, Алина Александровна | 2013 |