Разработка полупроводниковых материалов для приборов ночного наблюдения и промышленной технологии их производства

• Автор: Пинчук, Игорь Владимирович
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 181 с.

Глава 1. Глава 2. ВВЕДЕНИЕ. Основные технологические принципы получения гетероструктур на основе твердых растворов арсенида галлияалюминия методом жидкофазной эпитаксии . Физическая модель полупрозрачного арсенидгаллиевого ОЭСфотокатода, учитывающая . Глава 3. Глава 4. Технология выращивания гетероструктур арсенида галлияалюминия жидкофазной эпитаксией с принудительным вытеснением предыдущего раствора
На рис. В от нормализованного коэффициента поглощения для различных величин нормализованной толщины фотокатода Т для случая К0 Сплошные линии соответствуют идеальному случаю скорость рекомбинации равна нулю, пунктирные наихудшему когда рекомбинация на поверхности раздела ограничивается только диффузией. Для сравнения штрихпунктирной линией нанесена зависимость для толстого фотокатода , освещаемого с фронта. Приведенные на рис 1 графики позволяют выяснить специфику работы полупрозрачного фотокатода на просвет. В идеальных условиях квантовый выход вблизи порога до области спектра, когда начинается возбуждение электронов в верхний минимум зоны проводимости может превышать величину, получаемую при прямом освещении.


В от нормализованного коэффициента поглощения для различных величин нормализованной толщины фотокатода Т для случая К0 Сплошные линии соответствуют идеальному случаю скорость рекомбинации равна нулю, пунктирные наихудшему когда рекомбинация на поверхности раздела ограничивается только диффузией. Для сравнения штрихпунктирной линией нанесена зависимость для толстого фотокатода , освещаемого с фронта. Приведенные на рис 1 графики позволяют выяснить специфику работы полупрозрачного фотокатода на просвет. В идеальных условиях квантовый выход вблизи порога до области спектра, когда начинается возбуждение электронов в верхний минимум зоны проводимости может превышать величину, получаемую при прямом освещении. Такое превышение незначительно при и существенно при оптическом просветлении подложки, т. При достаточно больших энергиях фотонов, когда рассеяние электронов в верхний минимум начинает играть заметную роль, квантовый выход при прямом освещении должен превышать величину, получаемую на просвет. Расчет квантового выхода для полупрозрачного фотокатода не позволяет получить в явном виде зависимость К от ,,,, которые относятся к основным факторам, влияющим на чувствительность. Кроме указанных факторов, чувствительность существенно зависит от вероятности выхода электронов В, коэффициентов отражения на границах раздела вакуумподложка, подложкаактивный слой, активный слойвакуум. Можно сформулировать некоторые положения, которые помогают понять характер влияния ,,, на квантовый выход. При заданной комбинации , , и . Т, при котором квантовый выход максимальный. Максимально Эостижимый ксхнтоЬый 8ыхоЭ отн. З.
РяС. Т Ь , указанной числами у кривых. Сплошные линии нулевая скорость рекомбинации на границе активный слой подложка, штриховые бесконечная.