Разработка активных и пассивных материалов для приборов неразрушающего контроля узлов и агрегатов АЭС

• Автор: Мустафинов, Эдуард Николаевич
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Новочеркасск
• Количество страниц: 140 с.

А В1 в оптоэлектронике и их физикохимические свойства. Высокотемпературные пьезокерамические материалы Состояние проблемы. Перспективы развития высокотемпературного материаловедения. Аппаратнометодические особенности получения многокомпонентных твердых растворов А 1 ВУ на основе 1пАз, ОаАБ, ОаБЬ. Нанесение контактной сетки. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ СПКМ. Синтез контроль и подготовка сырья, выбор оптимальных режимов синтеза. Спекание. Обычный метод. Метод горячего прессования. Сопоставление методов. Экспериментальная установка. Изготовление измерительных образцов. Поляризация. Методы исследования образцов СПКМ. Определение плотности. Рентгенографические исследования. Микроструюурный анализ. Определение электрических и механических характеристик. Соединения Са1п8Ь1пАз, ГпАзЗЬЛпАэ. Соединения СайСаАз, АЮаАзСаАБ, АЮаЭЬАЬ, ЗаМЬСаБЬ. Экспериментальные уравнения ликвидуса Т С. Коэффициенты распределения легирующих элементов. Стабильность твердых растворов под облучением. Спинодальная поверхность в условиях облучения.


СПКМ ЦТС 7 нейтрсм2 1,4 электр. Но, несмотря на перспективность таких СПКМ, они не нашли широкого применения изза нетехнологичности повышенной чувствительности электрофизических параметров к термодинамической предыстории получения сырью, способам синтеза, спекания, механической обработки, поляризации и т. Это обстоятельство требует поиска оптимальных технологических решений в проблеме создания совершенной технологии получения СПКМ с требуемыми свойствами. Это и определило вторую из основных целей работы. Во второй главе описаны методы получения и исследования физических свойств полупроводниковых и сегнетопьезокерамических материалов, предназначенных для работы в условиях АЭС. В основу получения полупроводниковых материалов был положен метод 1ТГ с гомогенизацией градиентом температуры и зашитой
подложек от термического травления. Оказалось целесообразным разделить этапы гомогенизации и ЗПТГ. Первый этап проводился при Т С в отсутствие подложек ваБЬ, 1пАз. Рабочий диапазон температур второго этапа роста эпитаксиальных слоев 0 0 С был определен на основе визуального наблюдения процесса растворения кристаллов в слитке шихты. Разработано оригинальное нестандартное оборудование, в том числе, нагреватели для эпитаксии твердых растворов в поле температурного градиента с переменным направлением, кассеты поршневого и сдвигового типа. Разработаны оригинальные методы формирования плоской зоны капиллярным заполнением расплавом зазора между полупроводниковыми пластинами. ОКБ ЭП г. С.Петербург, Михеевым А.