Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
- Автор:
Смолин, Александр Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Новочеркасск
- Количество страниц:
199 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Основы формально-эвристического проектирования вакуумного оборудования электронной техники | Львов, Борис Глебович | 2001 |
| Моделирование диффузионных процессов изотермической жидкофазной эпитаксии полупроводников | Савченко, Владислав Анатольевич | 2000 |
| Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели | Косарев, Артем Михайлович | 2004 |