Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
- Автор:
Гончарова, Наталья Вячеславовна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
187 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства медных проводников, синтезированных методом лазерно-индуцированного осаждения металлов из раствора | Логунов, Лев Сергеевич | 2016 |
| Разработка технологических приемов получения фоточувствительных пленок на основе твердых растворов CdS1-xSex методом трафаретной печати | Стратейчук, Диана Михайловна | 2008 |
| Разработка холодных катодов на основе бериллия и алюминия для гелий-неоновых лазеров с повышенной долговечностью | Лищук, Николай Вячеславович | 1998 |