Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
- Автор:
Гончарова, Наталья Вячеславовна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
187 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Магнитные композиты на основе наноразмерных частиц MeOn-Fe2O3, интегрированных в диэлектрическую матрицу диоксида кремния | Гареев, Камиль Газинурович | 2014 |
| Синтез и исследование кристаллов AgClxBr1-x, AgClxBryI1-x-y, легированных редкими элементами, и получение световодов на их основе | Примеров, Николай Витальевич | 2010 |
| Выращивание гетероструктур AIIIBV и исследование их функциональных характеристик | Блохин, Эдуард Евгеньевич | 2016 |