Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
- Автор:
Гончарова, Наталья Вячеславовна
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
187 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si | Русаков, Демьян Николаевич | 2003 |
| Разработка методов синтеза нанодисперсного люминофора NaYF4:Yb:Er для биомедицинских исследований | Ясыркина, Дарья Семеновна | 2014 |
| Получение и исследование свойств углеродных наноматериалов и нанокристаллов широкозонных полупроводников | Борисенко, Дмитрий Николаевич | 2005 |