Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления
- Автор:
Беспалов, Алексей Викторович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
118 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов | Харламов, Роман Валентинович | 2000 |
| Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей | Олива, Эдуард Владимирович | 2002 |
| Оптимизация процесса роста монокристаллов карбида кремния на затравках различных кристаллографических ориентаций | Фадеев, Алексей Юрьевич | 2013 |