Модификация эпитаксиальных слоев нитрида галлия в области дефектов роста методом периодического ионно-лучевого осаждения-распыления
- Автор:
Беспалов, Алексей Викторович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
118 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка основ технологии синтеза нанокомпозита Ag/полиакрилонитрил при ИК-нагреве | Нгуен Хонг Виет | 2015 |
| Многофункциональные оптические среды на основе оксидных монокристаллов сложного состава, выращиваемых из расплавов | Ивлева, Людмила Ивановна | 2007 |
| Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии | Андреев, Андрей Юрьевич | 2004 |