Моделирование и получение твердых растворов InAlGaPAs на подложках GaAs и InP

• Автор: Столярова, Валентина Вячеславовна
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Новочеркасск
• Количество страниц: 157 с. : ил

1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ

1.1 .Физикохимические свойства соединений А3ВЭ.

1.2.Преимущества пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5.

1.3.Совершенство гетероструктур на основе пятикомпонентных

твердых растворов

1.4.Определение ширины запрещенной зоны пятикомпонентных

твердых растворов

1.5.Обоснование и постановка задачи исследования

2. ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ ПТР МЕТОДОМ

ЗПГТ

2.1.Преимущество методов жидкофазной эпитаксии.

2.2.Аппаратурное оформление процесса ЗПГТ
2.3.Методика проведения процесса ЗПГТ
2.4.Получеиие ПТР с заданным распределением компонентов
2.5.Влияние механизма легирования на электрофизические
свойства ПТР, выращенных методом ЗПГТ
2.6.Вывод ы
3. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ДИСЛОКАЦИЙ В ПТР
3.1 .Модель зависимости плотности дислокаций ПТР по толщине
слоев от состава.
3.2.Распределение плотности дислокаций ПТР АЮа1пАзР1пР
и 1пАЮаРА5ОаА5
3.3.Температурноконцентрационная зависимость плотности дислокаций ПТР0
3.4.Зависимость плотности дислокаций от толщины зоны и
градиента
3.5.Построение обобщенной модели распределения плотности дислокаций ПТР по толщине слоев.
3.6.Вывод ы.
4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПТР
4.1.Концентрационная зависимость подвижности носителей
заряда ПТР.
4.2.Определение легирующих коэффициентов для ПТР
АЮаЫАяРЦпР
4.3.Применеие методики множества возможных составов к ПТР АЮапАзРпР и пАЮаРАзаАБ.
4.4.Анализ методик расчета ширины запрещенной зоны
4.5.Сравнение результатов моделирования и экспериментальных данных .
4.6.Вывод ы.
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ. Физикохимические свойства соединений А3ВЭ. Преимущества пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5. Преимущество методов жидкофазной эпитаксии. Температурноконцентрационная зависимость плотности дислокаций ПТР0
3. Построение обобщенной модели распределения плотности дислокаций ПТР по толщине слоев. Вывод ы. ПТР. Применеие методики множества возможных составов к ПТР АЮапАзРпР и пАЮаРАзаАБ. Сравнение результатов моделирования и экспериментальных данных . Вывод ы. XX тп хтУп
где , атп, ССщп соответствующие значения бинарных соединений А3В5. Система 1. ПТР. Существование решений данной системы должно быть доказано в каждом отдельном случае. В таблице 1. А3В5, представляющих интерес в оптоэлектронике 3,4,. Среди бинарных соединений А3В5, представленных в таблице 1. А9, что связано с его высокими элекгрооптическими и фотоэлектрическими параметрами, хорошим изучением эпитаксиальных методов выращивания СаАз и МТР на его основе, пригодностью арсенида галлия при создании инжекционных, полупроводниковых лазеров, светодиодов и эффективных приемников оптического излучения. Таблица 1. Данные о свойствах бинарных соединений АВ5, используемых в оптоэлектронике. Таблица 1. ОЭИС на полуизолирующих подложках ПП из аАя 9.