Исследование и разработка процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе

• Автор: Калугин, Виктор Владимирович
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 187 с. : ил

Введение. Перспективы производства структур КНИ. Особенности структур КНИ. Получение структур КНИ методом сращивания полупроводниковых пластин. Влияние поверхностных загрязнений подложек на результаты технологических процессов. Источники загрязнений на поверхности пластин 8. Выбор процесса химической обработки. Жидкостная химическая обработка. Тенденции развития существующих методов жидкостной химической обработки. Контроль качества подготовки поверхности пластин 8. Глава 2 Оборудование и методика проведения эксперимента. Подготовка подложек. Сушка структу р. Химическая обработка аэрозольнокапельным распылением растворов. Химическая обработка с применением мегазвуковой энергии. Кистевая химическая обработка. Методики контроля 8 пластин и структур КНИ. Анализ состояния поверхности подложек, используемых для производства структур КНИ и ИС. Выявление основных источников механических загрязнений поверхности полупроводниковых пластин . Влияние среды чистых производственных помещений на загрязнение Б пластин.


Влияние загрязнения поверхности полупроводниковых пластин в чистых производственных помещениях. Влияние параметров ЧПП на поверхностные привносимые загрязнения подложек. Влияние персонала на загрязнение поверхности 8 пластин. Определение влияния чистоты химических растворов на загрязнение поверхности подложек. Влияние технологического процесса химической обработки на уровень загрязнений пластан 8 . Влияние операции сушки пластин 8 на загрязнения поверхности . С до 0С в скрытом имплантированном слое возникают микропузырьки, способствующие откалыванию слоя заданной толщины, и получения структуры КНИ . Относительно новый способ производства КНИ структур, способный создавать структуры с бездефектными слоями кремния. Структура формируется эпитаксиальным наращиванием кремния на пористом слое кремния. Пластина сращивается с опорной с последующим отслаиванием рабочего слоя. Достоинствами являются простота метода, возможность исполнения технологии на пластинах большого диаметра 9. А3В5, i, стеклом и др. КНИ, трехмерных ИС и микроэлектромеханических систем. Сравнение технологий, использующих сращивание i пластин, приведено в таблице 1. Таблица 1. Как видно из этой таблицы, технология позволяет изготавливать наиболее дешвые и совершенные структуры КНИ. В Европейских странах развитием и совершенствованием технологии занимаются во многих институтах и практически в большинстве микроэлектронных компаний II, I, II, , , , , . В последнее время заметно увеличение внимания мировых производителей СБИС к выпуску КНИ структур по технологии сращивания I, , .