Использование нейтральных примесей, компенсированных основой, для производства монокристаллов кремния

• Автор: Лысенко, Любовь Николаевна
• Шифр специальности: 05.27.06
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 239 с. : ил

Неионизованные примеси в кремнии и германии . В КРЕМНИИ . Диаграммы фазового равновесия кремнийметалл. Л. Введение в теорию растворов. Расчет ретроградного солидуса . ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ МАГНИЯ С ФОСФОРОМ В ПРОЦЕССЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИОННОЙ ОЧИСТКИ КРЕМНИЯ . Разработка метода создания заданной концентрация щелочноземельного металла в расплавленной зоне. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЦИРКОНИЯ В КАЧЕСТВЕ ГЕТТЕРИРУЮ1ЦЕЙ ДОБАВКИ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА СБИС . Обнаружено , что увеличение концентрации углерода приводит к снижению количества донорных центров, генерируемых в процессе термообработки кислородосодержащего кремния при 0 К, что связано с образованием устойчивых комплексов. Концентрация комплексов растет с увеличением времени и температуры обработки. Термообработка при К позволила выявить наличие у комплексов кислородуглерод донорных свойств. Показано , что комплексообразование увеличивает скорость выделения кислорода в кремнии при высоких температурах.


Очевидно, что концентрация легирующей примеси должна быть выше концентрации примесного фона. Так как в число основных электрофизических свойств полупроводника входит понятие подвижность неосновных носителей тока, которая резко изменяется от малых концентраций некоторых примесей, входящих в примесный фон, считается целесообразным снижать концентрацию примесного фона до уровня концентрации собственных носителей в полупроводнике. В таком случае корректно считать, что подвижность полупроводника зависит только от концентрации выбранной легирующей примеси. Предполагается, что в состав примесного фона входят все элементы периодической системы, концентрация которых определяется выбором исходного сырья, из которого получен полупроводник, а также использованными методами его очистки. Обычно легирующими являются несколько примесей для германия мышьяк, для кремния бор и фосфор, уровень примесного фона определяется, как правило, концентрацией элсктроактивных примесей. Поведение примесей в полупроводнике имеется в виду в первую очередь способность изменять концентрацию носителей и их подвижность в полупроводнике зависит от многих факторов, связанных с химическими свойствами, существующими в матрице основе, а также с химическими связями, возникающими между атомами основы и атомами примеси. Необходимо также учитывать, особенно при значительных концентрациях примесей, химическое взаимодействие между примесями, которое также приводит к изменению концентрации носителей и подвижности в полупроводнике.