Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
- Автор:
Сергеева, Ж. М.
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1994
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
193 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры InSb1-x Bi x /InSb и GaSb1-x Bi x /GaSb с квантовыми ямами: технология получения и свойства | Драка, Оксана Евгеньевна | 2003 |
| Разработка и исследование технологического процесса, режимов оборудования и методик устранения прозрачных и непрозрачных дефектов при изготовлении фотошаблонов в полупроводниковом производстве | Овчинников, Вячеслав Алексеевич | 2009 |
| Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии | Багаев, Тимур Анатольевич | 2013 |