Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
- Автор:
Сергеева, Ж. М.
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1994
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
193 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование наноструктурированных поверхностей полимеров для электроники и медицины | Лямин, Андрей Николаевич | 2011 |
| Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi | Подщипков, Дмитрий Геннадиевич | 2009 |
| Принципы формирования и свойства фотоэлектрических преобразователей с ультратонким поглощающим слоем | Вишникин, Евгений Викторович | 2006 |