Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
- Автор:
Сергеева, Ж. М.
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1994
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
193 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-технологические основы и пути совершенствования технологии получения кристаллов сапфира для электронной техники | Клунникова, Юлия Владимировна | 2019 |
| Разработка и исследования пленочных термоэлектрических преобразователей для измерения параметров лазерного излучения | Опаричев, Евгений Борисович | 2013 |
| Получение и исследование свойств наногетерогенных структур на основе системы вольфрам-углерод | Чмырова, Ольга Леонидовна | 2001 |