Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
- Автор:
Сергеева, Ж. М.
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1994
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
193 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки | Мустафаев, Арслан Гасанович | 2011 |
| Разработка информационного обеспечения вакуумных процессов создания пленочных композиций | Чикирякин, Алексей Анатольевич | 2000 |
| Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит" | Бузынин, Александр Николаевич | 2008 |