Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Алтухов, Андрей Александрович
- Шифр специальности:
05.27.06, 05.11.14
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
174 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Технологические методы и средства повышения точности волоконно-оптических преобразователей линейных и угловых перемещений отражательного типа | Юрова, Ольга Викторовна | 2012 |
| Оптимизация показателей гибкости системы автоматического контроля и диагностирования гибкого автоматического производства | Пашков, Валерий Павлович | 1984 |
| Широкополосные спектроделители на основе широкозонных полупроводниковых материалов | Алиакберов, Рамиль Джавидович | 2005 |