Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Алтухов, Андрей Александрович
- Шифр специальности:
05.27.06, 05.11.14
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
174 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Варикап со ступенчато-градиентным профилем распределения концентрации примеси | Соловьев, Виталий Анатольевич | 2005 |
| Повышение качества специальных изделий путем оптимизации характеристик их поверхностного слоя | Леонов, Димилян Божидаров | 2014 |
| Исследование и разработка технологии производства высокочастотных кварцевых резонаторов | Миленин, Павел Павлович | 2010 |