Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Автор:
Алтухов, Андрей Александрович
- Шифр специальности:
05.27.06, 05.11.14
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
174 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование метода калибровки избыточных измерителей ускорения с целью повышения точности БИНС | Лепе, Сергей Николаевич | 2008 |
| Исследование и разработка методики проектирования автоматизированной сборки электронных узлов в приборостроении | Магдиев, Ринат Рауфович | 2000 |
| Развитие теории и разработка комплекса технологий и оборудования для лазерной обработки кварцевого стекла | Борисовский, Владимир Евгеньевич | 2011 |