Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов
- Автор:
Швец, Александр Валерьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
122 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-химические и технологические основы получения полиимидных структур для микроэлектронных устройств, устройств микромеханики и микросенсорики | Жуков, Андрей Александрович | 2003 |
| Разработка и исследование технологии изготовления подложек из монокристаллического сапфира для элементов электронной техники | Нелина, Светлана Николаевна | 2010 |
| Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах | Ханин, Юрий Николаевич | 2002 |