Исследование и разработка конструктивно-технологических методов улучшения параметров силовых планарных МОП транзисторов

• Автор: Швец, Александр Валерьевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 122 с. : ил.

Содержание
Введение

Глава 1. Литературный обзор по мощного приборам Уу

применяемым в силовых интеллектуальных схемах

1.1 Интеллектуальные силовые интегральные схемы

1.2 Способы объединения маломощных и мощных частей схемы на одном кристалле.

1.3 Основные силовые приборы, используемые в качестве ключа

1.4 Особенности использования силовых МОП

транзисторов

1.5. Планарные силовые МОП транзисторы

1.6 Классификация методов самосовмещения

1.7 Применение моделирования при разработке полупроводниковых приборов
1.8 Выводы
Глава 2 Разработка методики моделирования мощных планарных МОПтранзисторов.
2.1 Обоснование необходимости применения приборнотехнологического моделирования при разработке приборов.
2.2 Структура и характеристики пакета Е ТСАО
2.3 Приборнотехнологическое моделирование мощных МОП транзисторов.
2.4 Выводы
Глава 3. Исследование влияния геометрии слоев структуры на электрофизические параметры прибора4
3.1 Структура МОПтранзисторов
3.2 Исследование влияния способа формирования локального окисла на пороговое напряжение.4
3.3 Исследование влияния длины затвора над активным и пассивным каналами мощного МОП транзистора
3.4 Выводы.
Глава 4. Моделирование структуры самосовмещенного пМОП транзистора
4.1 Структура самосовмещенного пМОП транзистора со спейсером
4.2 Структура самосовмещенного пМОП транзистора без спейсера.
4.3 Структура самосовмещенного пМОП с двумя локальными окислами.
4.4 Выводы8
Глава 5. Экспериментальная апробация конструктивно технологических решений
5.1 Технологический маршрут изготовления мощных МОП транзисторов с применением методов
самосовмещения.
5.2 Измерения электрических характеристик образцов мощных МОП транзисторов
5.3 Выводы
Заключение
Список используемых источников


Представляется к защите. Методика моделирования мощных планарных МОП — транзисторов на основе использования приборно-технологического пакета Е ТСАИ. Закономерности, связывающие пороговое напряжение, пробивное напряжение и быстродействие мощного МОП транзистора с его конструктивными параметрами. Новая самосовмещенная структура мощного МОП транзистора, позволяющая существенно повысить его динамические характеристики и эффективность использования площади. Технологический маршрут изготовления самосовмещенной структуры силового планарного МОП транзистора. Экспериментальные образцы мощных планарных МОП транзисторов/ изготовленных по разработанной технологии^ и результаты исследования их электрических параметров. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Таганрог г. Всероссийская научно-техническая конференция “Микро- и наноэлектроника” МНЭ - , Звенигород. XIII научно-техническая конференция. Датчики и преобразователи информации систем измерения, контроля и управления" (Датчик -) Крым, май г. Третья Международная научно-техническая конференция “Электроника и информатика - XXI век” Зеленоград, - ноября г. Результаты диссертации опубликованы в печатных работах, из которых 3 статьи в научных журналах и 8 тезисов докладов на научно-технических конференциях. М.А. Королёв, Р. Д.Тихонов, А. В. Швец/ Исследование влияния способов формирования локального окисла на параметры мощных МОП-транзисторов в "интеллектуальных" силовых интегральных схемах// Известия высших учебных заведений. Электроника. М.А. Королёв, Р. Д.Тихонов, А. В.Швсц/ Исследование влияния структуры пинч-резисторного пассивного канала на параметры МОП-транзисторов// Известия высших учебных заведений. Электроника. М.А. Королёв, Р. Д.Тихонов, А. В.Швец/ Исследование влияния длины затвора над активным и пассивным каналами на параметры МОП транзисторов интеллектуальных силовых интегральных схем// Известия высших учебных заведений. Электроника. Королёв М. A., Швец A. B., Тихонов Р. Д./ Самосовмещенная технология силовых МОП транзисторов // Всероссийская научно-техническая конференция, тез. МНЭ - , Звенигород. Швец A. B., Тихонов Р. Д./ Использование элементов самосовмещения при изготавлении планарных силовых транзисторов/Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники, тез. ТРТУ Таганрог г. Королёв М. А., Швец A. B. / Самосовмещенная технология силовых МОП транзисторов // Восьмая международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов тез. МЭИ, Москва . М.А. Королёв, А. В.Швец/ Конструктивно-технологические особенности планарных МОП-транзисторов // IV Международная научно-техническая конференция, Москва, Зеленоград, - ноября г, тез. М.А. Королёв, Р. Д.Тихонов, А. В.Швец, Н. А.Шелепин. Исследование влияния способов формирования локального окисла на параметры мощных МОП-транзисторов в "интеллектуальных" силовых интегральных схемах// Третья Международная научно-техническая конференция “Электроника и информатика -XXI век”, Москва, Зеленоград, - ноября г, тез. А.В. Швец, Р. Д.Тихонов/ Математическое моделирование структуры и электрических параметров силовых п- и р-МОП-транзисторов// VIII Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов, Москва, Зеленоград, , апреля г, тез. М.А. Королёв, Р. Д.Тихонов, А. В.Швец/ Исследование влияния длины затвора над активным и пассивным каналами на параметры МОП-транзисторов интеллектуальных магниточувствительных интегральных схем// XIII конференция. Датчик -) Крым, май г. Королев М. А., Тихонов Р. Д., Швец A. B., Шелепин H. A. /Исследование влияния способов формирования локального окисла на параметры мощных МОП-транзисторов в "интеллектуальных" силовых интегральных схемах Л стр 6. Электроника и информатика - XXI век. Третья Международная научно-техническая конференция (Зеленоград, - ноября г. Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, приложений, содержащих акты внедрения результатов работы, списка использованных источников из наименований.