Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs
- Автор:
Пономарев, Дмитрий Сергеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
145 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника | Бухаров, Владимир Эдуардович | 2003 |
| Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3 B5 | Хренов, Григорий Юрьевич | 1999 |
| Проектирование структуры межсоединений программируемых логических интегральных схем | Быстрицкий, Алексей Викторович | 2012 |