Влияние модулированного облучения и генерационно-рекомбинационных процессов на работу микроволновых устройств на диодах Ганна

• Автор: Супрунова, Елена Федоровна
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Таганрог
• Количество страниц: 212 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Учет рекомбинационных нелинейностей при определении микроволновой проводимости диодов Ганна

1.1. Методы анализа нелинейных процессов в объеме арсенида галлия

1.2. Оптоэлектрические свойства арсенида галлия

1.3. Содержание генерационно - рекомбинационного процесса

1.4. Направления учета генерационно - рекомбинационных процессов

1.5. Итоги главы

ГЛАВА 2. Пути определения параметров рекомбинационной нелинейности объема полупроводников

2.1. Определение аппроксимационных параметров по известным зависимостям

2.2. Методика определения зависимости поперечного сечения рекомбинации носителей от их скорости и от их энергии (локальная полевая модель)
2.3. Локальная полевая модель малосигнального процесса взаимодействия амплитудно - модулированного света с постоянным и переменным полями в арсениде галлия и пути определения аппроксимационных параметров рекомбинации
2.4. Итоги главы
ГЛАВА 3. Локальная полевая модель преобразования частот модуляции света и внешнего поля в объеме арсенида галлия
3.1. Анализ параметров уравнения кинетики, определяющих рекомбинацию
3.2. Анализ процесса преобразования концентрации носителей в рамках локальной полевой модели
3.3. Анализ тока............в диоде Ганна без учета генерационнорекомбинационных процессов в рамках локальной полевой модели
3.4. Параметры преобразования частот модуляции поля и света в рамках локальной полевой
модели
3.5. Итоги главы
ГЛАВА 4. Влияние генерационно - рекомбинационных процессов на
детекторный эффект и микроволновую проводимость диодов Ганна
4.1. Приближение локальной полевой модели в определении
микроволновой проводимости диода Ганна
4.2. Анализ влияния рекомбинационных процессов на детекторные свойства объема полупроводников типа А3В
4.3. Направление компьютерного моделирования микроволновой
объемной проводимости полупроводников типа полупроводников типа А3В5 с учетом рекомбинационных процессов
4.4. Об учете генерационно - рекомбинационных процессов при анализе двухчастотного полевого воздействия на диоды Ганна
4.5. Учет влияния генерационно - рекомбинационных процессов на микроволновую проводимость диодов Ганна
4.6. Итоги главы
ГЛАВА 5. Алгоритмы расчета параметров СВЧ устройств на диодах Ганна с учетом рекомбинационных нелинейностей
5.1 Теория нелинейного регенеративного усиления сигнала на частоте модуляции света и синхронизации автогенератора на диоде Ганна этой частотой
5.2. Алгоритм проектирования умножителей и автогенераторов гармоник без учета параметров эквивалентной схемы диода
5.3. Оптимизация нагрузки автогенераторов СВЧ на диодах Ганна с учетом влияния гармоник и параметров полной эквивалентной схемы диода
5.4. Итоги главы
ГЛАВА 6. Вопросы экспериментальной проверки и применения теоретических результатов
6.1. Экспериментальные исследования преобразовательных свойств и измерение температуры
6.2. О системах фазового и частотного управления
6.3. Итоги главы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список использованных источников
Список работ, отражающих содержание диссертации
ПРИЛОЖЕНИЯ
Приложение
Приложение
Приложение
Приложение
Приложение
Приложение
Приложение

ц = ц0/(1 + Е07Еп2),
где Ио= 0,85 м2/В-с, Ел = 4 105 В/м. При этом предполагается, что подвижность и известна, точно так же, как и эффективная масса носителей тэ, которая
определяет в первом приближении тепловую скорость V - Ут = (ЗкТ/тэ)0,5 (в случае, если принять тэ равной массе свободного электрона при Т = 300 К
Ут = 1,16 • 105 м/с; для ОаАв при Т = 300 К Ут= 4,4 • 105 м/с).
Следует заметить, что в случае малых со, когда оп «1, второй метод,
основанный на зависимости |у. | = Е (Е0) сводится к предыдущему, только вместо Ф0 в формулах будет стоять Фь а вместо Е - [)~|. При сот«1 второй метод существенно усложняется.
Если обозначить пра1Ут=1/х0, где о ] - значение а при Ео=0, то, построив зависимость | |=е|щ,|рЕ0 = Е.(Е0), можно по наклону начального
участка определить
Ф,т0/л/1+727 =В0. (2.12)
Тогда, учитывая, что Ф1т(1 + со2г2) 1 = В0(т/т0)[(1 -нда2т02)/(1 + с»2т2)]1/
и что т а(Ут + р. Е0) = т0 а, Ут, можно получить выражение
и~| = е рЕ0В0{1 + [г02ст2пр2(2Ут +рЕ0)рЕ0]/(1-Ь£й2т02)} °’5. (2.13)
Обычно при модуляции светового потока стремятся получить Ф0 = (т е.
100 % модуляцию). Поэтому по крутизне снятой ранее зависимости
)0 = е р Е0 Ф0х = £(Е0) при Ео = 0 когда г = т0, можно найти Ф0т0 = Фд,, и из выражения (2.12) найти по известным со и В величину т0. Поэтому, построив по снятой зависимости |л„ | = Е(Е0) график функции
спр = { [(С -1) (! + со V )][(2УТ + рЕ0 )ц Е0 х02 Г } , (2.14)