Исследование процессов формирования контактов и границы активного слоя с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик СВЧ полевых транзисторов

• Автор: Лапин, Владимир Григорьевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Фрязино
• Количество страниц: 129 с. : ил.

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. Глубокие энергетические уровни в нолевых транзисторах

Экспериментальные характеристики нолевых транзисторов ФГУП НЛП Исток с

глубокими уровнями

Эффекты сильного поля и дрейф параметров полевых транзисторов

из пСаАэ с барьером Шотки

Фоточувствителыюсть арсенидгаллиевых полевых транзисторов в сильных

электрических полях

Увеличение потенциального барьера на границе активный буферный слой с

использованием дельта легирования

ГЛАВА 2. Улучшение качества контактов и уменьшение чувствительности

транзисторных структур к концентрации дефектов
Влияние химических обработок на характеристики барьеров
Шотки в полевых транзисторах
Использование диффузионного барьера при формировании омических контактов
полевых транзисторов на арсениде галлия
Исследование полевых транзисторов на фосфиде индия
Г ЛАВА 3. Полевые транзисторы со смещенным затвором.
Зависимость параметров мощного транзистора от величины смещения затвора к
истоку
Зависимость параметров мощного транзистора с затвором, смещенным к истоку, от
угла напыления затвора
Мощный полевой транзистор со смещенным к истоку Гобразным затвором
3.4.Определение надежности разработанных полевых транзисторов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА


ГЛАВА I. ГЛАВА 2. Г ЛАВА 3. Полевые транзисторы со смещенным затвором. Актуальность темы. МИС. МИС СВЧ. Научная новизна. Практическая ценность работы. ЗГТ2 А,Б,В ЗП6 А,Б,В,Г,Д, Плафон, выпускаемых серийно. ГГц при выходной мощности 0. Апробации результатов работы. А,Б,В,Г,Д, Плафон. Публикации. РФ. Объм работы. Содержание и результаты работы. Обоснована практическая значимость работы. В разделе 1. ФГУП НЛП Исток с глубокими уровнями. ВАХ могут иметь аномальный вид. Наблюдаемые эффекты нельзя было связать с утечкой тока по подложке, т. В и концентрацией 0,5Ч см3. ВАХ транзисторов. В разделе 1. Шотки. СВЧ диапазоне обусловлен аналогичными причинами. В разделе 1. В разделе 1. В разделе 2. Шотки в нолевых транзисторах. ВАХ, так и утечки в низкотоковой области ВАХ барьеров. НС1Н в течении секунд. НС1Н в течении секунд. Н2МННН 5.