Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs
- Автор:
Ревин, Дмитрий Геннадьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
150 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs | Пак Хи Сок | 2002 |
| Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин | Булатов, Андрей Николаевич | 2005 |
| Конструктивно-технологические основы создания инерциальных микроэлектромеханических систем | Тимошенков, Алексей Сергеевич | 2019 |