Формирование и электрофизические свойства двухэлектродных планарных элементов наноэлектроники

• Автор: Корнеев, Николай Владимирович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 107 с.

1. СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ЧИм1иммишчимтчн.ннцццщчмтииммцн

1.1. Литография. Понятие и методы.1 о

1.2. Литография с помощью сканирующего зондового

микроскопа

1.2.1. Механическая модификация

1.2.2. Испарение в поле.

1.2.3. Локальное окисление поверхностей.

1.2.4. рреп литография.

1.2.5. Развитие методики.

1.3. Процесс окисления кремния и металлов

1.3.1. Окисление кремния

1.3.2. Окисление металлов.
1.4. Теоретическое обоснование окисления металлов
1.5. Квантовые свойства нанопроводникоб
1.6. Постановка задачи по реализации аппаратных средств и
методик формирования и исследования двухэлектродных планарных элементов наноэлектроники.
2. РАЗРАБОТКА МЕТОДИК ФОРМИРОВАНИЯ ДВУХЭЛЕКТРОДНЫХ ПЛАНАРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
2.1. Выбор методики нанесения титановых пленок.
2.2. Выбор методики локального анодного окисления
2.2.1. Влияние взаимодействия иглы атомносилового микроскопа с поверхностью исследуемого объекта на процесс локального окисления.
.
2.2.2. Развитие методики работы АСМ.
2.3. Исследование процесса окисления титановых пленок. .
2.3.1. Процесс естественного окисления титановых поверхностей
2.3.2. Исходные характеристики титановых пленок.
2., Окисление титановых пленок с помощью ЛСМ.,
2.3.4. Состав оксида
2.3.5. Влияние отрицательного приложенного напряжения.
2.4. Оборудование для экспериментов с локальным ОКИСЛЕНИЕМ.
2.4.1. Разработка устройства держателя образца
2.4.2. Интерфейс для обработки волыпамперных характеристик.
2.5. ФОРМИРОВАНИЕ ДОРОЖЕК ПОСРЕДСТВОМ АНОДИРОВАНИЯ
2.5.1. Теоретическое обоснование локального анодного окисления с
учетом протекания переменного тока в диэлектрике
2.5.2. Технология изготовления исследуемых наноструктур.
2.5.3. Сужение дорожек посредством локального анодного
окисления.
2.5.4. Электрические измерения
Заключение
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ДВУХЭЛЕКТРОДНЫХ ПЛАНАРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
3.1. Исследование вольтамперных характеристик и особенности проводимости двухэлектродных планарных
ЭЛЕМЕНТОВ.
3.2. Влияние температуры внешней среды и температурная
СТАБИЛИЗАЦИЯ ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУР.
3.3. Макеты двухэлектродных элементов на основе
формируемых нанопроводников.
Заключение.
ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА


Состояние вопроса и постановка задачи. Литография. Понятие и методы. Термин литография был впервые применен в году. Изначально, эта графическая методика использовалась для нанесения рисунка с каменной пластинки на бумагу. Этот термин идет от греческого слова обозначающего камень i и писать i. С тех пор литография это термин, обозначающий множество методик, которые воспроизводят шаблон на другую поверхность. В полупроводниковой промышленности литография это один из этапов в производстве интегральных схем на кремниевой подложке. Создание структур размерами менее 0нм называется нанолитография от греческого карлик. Кремниевая подложка покрывается радиационночувствительным материалом, называемым резист. Резист облучается в необходимых участках электронами, фотонами или ионами Резист химически модифицируется. В случае позитивного резиста, экспонированный резист может быть растворен, оставляя неэкспонированные участки. Для негативного резиста наоборот. Оставшийся резист создает маску для дальнейших технологических процедур, включая осаждение материала, окисление или отжиг. Эти шаги повторяются несколько раз, тем самым создается сложное устройство. Со времени первого создания интегральных схем ИС в середине х наименьшая ширина линии или критический размер уменьшается на каждые 3 года. Это утверждение называется законом Мура , который впервые заметил такую тенденцию в 4. В настоящее время промышленно производят ИС с размерами 0нм. Производители намерены следовать закону Мура так долго, насколько эго возможно.