Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения
- Автор:
Воротилов, Константин Анатольевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
388 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероэпитаксиальные планарные структуры из монокристаллического молибдена и ниобия и их электронно-транспортные свойства | Маликов, Илья Валентинович | 2000 |
| Физико-химические особенности ионного синтеза систем с нанокристаллами GaN в матрицах Si, Si3N4 и SiO2 для применения в оптоэлектронике | Суродин, Сергей Иванович | 2018 |
| Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием | Хабибуллин, Рустам Анварович | 2012 |