+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Физические свойства полупроводниковых пленок диоксида олова для датчиков газов

Физические свойства полупроводниковых пленок диоксида олова для датчиков газов
  • Автор:

    Свистова, Тамара Витальевна

  • Шифр специальности:

    05.27.01

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    1999

  • Место защиты:

    Воронеж

  • Количество страниц:

    186 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    250 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"Глава 1. Глава 2. Глава 3. Рис. Таким образом, в более общем случае энергетическая схема, иллюстрирующая приповерхностное искривление энергетических зон, обусловленное адсорбцией в данном случае акцепторных частиц, изображена на рис. В случае адсорбции донорных частиц загиб зон, изображенный на рис. Рис. Энергетическая схема полупроводника птипа, иллюстрирующая изменения в зонной картине приповерхностной области адсорбента, обусловленные адсорбцией акцепторов, обладающих определенным дипольным моментом 9. Обозначеиия те же, что и на рис. Необходимо отмстить, что возможно два типа равновесия в модели переноса заряда в системе адсорбат адсорбент, обусловленное либо полным переходом хемосорбированных частиц в заряженную форму, что имеет место в случае достаточно малых концентраций адсорбированных частиц, либо выравниванием уровня Ферми адсорбента с энергетическим уровнем хемосорбированных частиц, что возможно при достаточно больших концентрациях последних. Глава 1. Глава 2. Глава 3. Рис. Таким образом, в более общем случае энергетическая схема, иллюстрирующая приповерхностное искривление энергетических зон, обусловленное адсорбцией в данном случае акцепторных частиц, изображена на рис. В случае адсорбции донорных частиц загиб зон, изображенный на рис. Рис. Энергетическая схема полупроводника птипа, иллюстрирующая изменения в зонной картине приповерхностной области адсорбента, обусловленные адсорбцией акцепторов, обладающих определенным дипольным моментом 9. Обозначеиия те же, что и на рис. Необходимо отмстить, что возможно два типа равновесия в модели переноса заряда в системе адсорбат адсорбент, обусловленное либо полным переходом хемосорбированных частиц в заряженную форму, что имеет место в случае достаточно малых концентраций адсорбированных частиц, либо выравниванием уровня Ферми адсорбента с энергетическим уровнем хемосорбированных частиц, что возможно при достаточно больших концентрациях последних.


Глава 1. Глава 2. Глава 3. Рис. Таким образом, в более общем случае энергетическая схема, иллюстрирующая приповерхностное искривление энергетических зон, обусловленное адсорбцией в данном случае акцепторных частиц, изображена на рис. В случае адсорбции донорных частиц загиб зон, изображенный на рис. Рис. Энергетическая схема полупроводника птипа, иллюстрирующая изменения в зонной картине приповерхностной области адсорбента, обусловленные адсорбцией акцепторов, обладающих определенным дипольным моментом 9. Обозначеиия те же, что и на рис. Необходимо отмстить, что возможно два типа равновесия в модели переноса заряда в системе адсорбат адсорбент, обусловленное либо полным переходом хемосорбированных частиц в заряженную форму, что имеет место в случае достаточно малых концентраций адсорбированных частиц, либо выравниванием уровня Ферми адсорбента с энергетическим уровнем хемосорбированных частиц, что возможно при достаточно больших концентрациях последних.


Глава 1. Глава 2. Глава 3. Рис. Таким образом, в более общем случае энергетическая схема, иллюстрирующая приповерхностное искривление энергетических зон, обусловленное адсорбцией в данном случае акцепторных частиц, изображена на рис. В случае адсорбции донорных частиц загиб зон, изображенный на рис. Рис. Энергетическая схема полупроводника птипа, иллюстрирующая изменения в зонной картине приповерхностной области адсорбента, обусловленные адсорбцией акцепторов, обладающих определенным дипольным моментом 9. Обозначеиия те же, что и на рис. Необходимо отмстить, что возможно два типа равновесия в модели переноса заряда в системе адсорбат адсорбент, обусловленное либо полным переходом хемосорбированных частиц в заряженную форму, что имеет место в случае достаточно малых концентраций адсорбированных частиц, либо выравниванием уровня Ферми адсорбента с энергетическим уровнем хемосорбированных частиц, что возможно при достаточно больших концентрациях последних.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.803, запросов: 966