Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света
- Автор:
Щербаков, Валентин Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP | Пушкарёв, Сергей Сергеевич | 2013 |
| Влияние инфракрасного излучения на радиационную деградацию биполярных ИМС | Башин, Аркадий Юрьевич | 2005 |
| Сверхвысокочастотные свойства композитов на основе диэлектрических матриц с включениями в виде углеродных нанотрубок, частиц мелкодисперсного графита и ферритовых микрочастиц | Романов, Андрей Вячеславович | 2010 |