Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света
- Автор:
Щербаков, Валентин Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
136 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-технологические основы повышения эффективности полупроводниковых источников света», автор — Щербаков, Валентин Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Москва в 2007 году. Объем работы: 136 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003314471. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние дизайна метаморфного буфера на электрофизические и структурные свойства эпитаксиальных метаморфных НЕМТ наногетероструктур In0.7Al0.3As/In0.7Ga0.3As/In0.7Al0.3As на подложках GaAs и InP | Пушкарёв, Сергей Сергеевич | 2013 |
| Физико-технологические основы формирования канала силового МДП-транзистора на карбиде кремния | Михайлов, Алексей Игоревич | 2018 |
| Физические свойства и механизмы формирования низкоразмерных кремниевых структур во фторсодержащих средах | Проказников, Александр Владимирович | 2001 |