Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi

• Автор: Молдавская, Мария Давидовна
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 165 с. : ил.

1.1.1. Встроенная деформация в гетерострукгурах ОеОеБ и Ое

1.1.2. Зонная диарамма гетсроструктур ОеСе8 и БЮе влияние деформации и размерного квантования
1.1.3. Спектры электронов и дырок в напряженных гетероструктурах ОеСеБ влияние эффектов встроенной деформации и размерного квантования
1.2. Исследование гетероструктур на основе Ое и Я методами длинноволновой ИК спектроскопии

1.3.1. Исследования циклотронного резонанса в гетерострукгурах на основе Я и ве

1.3.2. Исследование мелких примесей в двумерных структурах методами дальней ИК спектроскопии
1.3.3. Исследование межподзонного поглощения и излучения света дальнего ИК диапазона в гетерострукгурах на основе Я и Це с квантовыми ямами
Глава 2. Циклотронный резонанс носителей заряда в напряженных гетерострукгурах СеСе в классической области энергий

2.1. Изготовление и подготовка образцов

2.2. Методика экспериментального исследования циклотронного резонанса носителей заряда в етероструктурах Ое8.хОех
2.3. Классический циклотронный резонанс дырок в нелегированных гетероструктурах ЦеОей
2.4. Циклотронный резонанс электронов в напряженных гетероструктурах ОеОенх
2.5. Циклотронный резонанс дырок в селективно легированных гетерострукгурах ОеСе.х8х







Глава 3. Эффекты разогрева дырок в напряжнных гетероструктурах
ixix
3.1.1. Методика исследования циклотронного резонанса горячих
носителей заряда в импульсных электрических полях
3.1.2. Циклотронный резонанс горячих дырок в гетероструктурах
i.xx в скрещенных электрическом и магни том полях
3.2. Исследование излучения горячих дырок в 1тггеросгруктурах
i ix в дальнем ИК диапазоне длин волн
Глава 4. Циклотронный резопанс двумерных дырок в гетероструктурах i в квантующих магнитных полях.
4.2. Квантовый циклотронный резонанс дырок в нелегированных
гетероструктурах i 1
4.3. Квантовый циклотронный резонанс дырок в селективно
легированных гетероструктурах i 1
Глава 5. Исследование мелких акцепторов в напряжнных гетерострукгурах i
5.1, Методика исследования спектров мелких акцепторов
5.2. Результаты экспериментального исследования спектров
мелких акцепторов и их обсуждение
Заключение
Литература


Зависимость критической толщины гетероэпитаксиального слоя с1с от величины рассогласования Сплошной линией показана зависимость, рассчитанная из условия минимума энергии структуры в равновесных условиях теория Ван деМерве пунктирными линиями и точками показаны зависимости, полученные экспериментально при молекулярнолучевой эпитаксии слоев Юе на подложке при двух различных температурах роста. Из работы . Однако реальная многослойная структура тоже должна опираться на подложку. Можно показать , что при определении и критической толщины многослойная структура эквивалентна слою с усредненным х. Так для структуры i. Очевидно, что для псевдоморфного роста многослойной структуры i на подложке необходимо, чтобы выполнялось условие . Такие виртуальные подложки создаются путем вырашивания между подложкой и структурой буферною слоя i. Буферный слой должен быть релаксированным, г. Б зависимости от степени релаксации постоянную решетки буфера в плоскости роста можно варьировать от асе доа, . Использование виртуальной подложки неизбежно связано с образованием на поверхности буферподложка сетки дислокаций несоответствия. Показано, что в материалах на основе i и эти дислокации в основном являются градусными и кроме составляющей вектора Бюргерса, параллельной плоскости роста ii ii имеют составляющую, перпендикулярную плоскости роста i ii. Проникновение дислокаций в гетероструктуру крайне нежелательно, т. К настоящему времени в системе ii выполнено большое количество работ см. Показано , что при рассогласовании 0. ФранкаРида . Замечательной особенностью этого механизма является то, что прорастание дислокаций происходит в основном в подложку, в то время как верхняя часть слоя имеет низкую плотность проникающих дислокаций р КРИ О1 см2.