Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции
- Автор:
Шалеев, Михаил Владимирович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
152 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности проектирования полностью цифровых систем ФАПЧ для процессорных устройств | Зиновьев, Денис Владимирович | 2005 |
| Рекристаллизация тонких поликремниевых пленок плоским электронным лучом | Горшков, Виталий Валерьевич | 2004 |
| Разработка методов проектирования и моделирования интегральных сенсоров ускорения на основе туннельных наноструктур | Приступчик, Никита Константинович | 2010 |