Разработка литографических методов и спецоборудования для создания СБИС и транзисторных структур с субмикронными размерами элементов
- Автор:
Кривоспицкий, Анатолий Дмитриевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1997
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
279 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5 | Фетисова, Валентина Михайловна | 2002 |
| Влияние облучения на свойства КНИ структур и полевых элементов со встроенным каналом на их основе | Пажин, Дмитрий Михайлович | 2010 |
| Исследование и разработка методов проектирования полупроводниковых фазовращателей на основе SiGe БиКМОП технологии | Мухин, Игорь Игоревич | 2012 |