Разработка конструкции и технологии формирования радиационно-стойких биполярных полупроводниковых структур
- Автор:
Мустафаев, Арслан Гасанович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Нальчик
- Количество страниц:
134 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Рентгенодифракционное исследование приповерхностных слоев кремния и гетероструктур A III B V с градиентом деформации | Барашев, Матвей Нестерович | 2002 |
| Твердотельные фильтры с протяженными преобразователями поверхностных акустических волн | Семенов, Геннадий Алексеевич | 2003 |
| Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции | Шалеев, Михаил Владимирович | 2006 |