Разработка диэлектрических покрытий для повышения функциональных и эксплуатационных характеристик полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
- Автор:
Козырев, Антон Андреевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Саратов
- Количество страниц:
122 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Пороговые фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур CdHgTe | Северцев, Владимир Николаевич | 2000 |
| Комплексные исследования электрофизических свойств термически окисленных слоев кремния в производстве полупроводниковых приборов с проектной нормой 0,5-0,8 мкм | Дудников, Анатолий Сергеевич | 2002 |
| Разработка технологических основ изготовления и исследование характеристик автоэмиссионных наноструктур на основе пленок графена на карбиде кремния | Волков, Евгений Юрьевич | 2013 |