Предельные напряжения двух и трехмерных p-n переходов в высоковольтных полупроводниковых приборах
- Автор:
Шалимов, Олег Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
135 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фасетирование при локальной твердофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на кремнии | Изюмская, Наталия Федоровна | 1999 |
| Особенности электролюминесценции Er-содержащих центров с линейчатыми спектрами излучения в кремниевых эпитаксиальных структурах | Кудрявцев, Константин Евгеньевич | 2013 |
| Исследование и разработка схемотехнических методов снижения нелинейных и линейных искажений сигналов в СВЧ микрополосковых приемопередающих устройствах при улучшении их массогабаритных и энергетических характеристик | Дутышев, Иван Николаевич | 2008 |