Предельные напряжения двух и трехмерных p-n переходов в высоковольтных полупроводниковых приборах
- Автор:
Шалимов, Олег Николаевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
135 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Технологические аспекты локальной обработки материалов микро- и наноэлектроники сфокусированным пучком ионов Ga+ и Xe+ | Лапин, Дмитрий Геннадьевич | 2019 |
| Конструкторско-технологические основы создания микросборок высокой плотности упаковки | Спирин, Владимир Георгиевич | 2008 |
| Разработка и исследование основ золь-гель технологий формирования диэлектрических пленок на основе оксида алюминия для органических полевых транзисторов | Луговой, Евгений Владимирович | 2013 |