Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN
- Автор:
Сергеев, Сергей Алексеевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2010
- Место защиты:
Саратов
- Количество страниц:
177 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах | Барабаненков, Михаил Юрьевич | 2001 |
| Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия | Красильникова, Людмила Владимировна | 2007 |
| Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий | Антонова, Екатерина Александровна | 2013 |