Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах

Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах

Автор: Барабаненков, Михаил Юрьевич

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Докторская

Год защиты: 2001

Место защиты: Черноголовка

Количество страниц: 350 с. : ил

Стоимость: 199 руб.

Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах  Кинетика химической стадии ионно-лучевой модификации кремния и оптические мезоскопические эффекты в ионно-модифицированных структурах 

I X, II и I процессы . Тип иона. Доза имплантации. Достехиометрический иошюлучевой синтез скрытого диэлектрического слоя в i. Модель роста ансамбля включений бинарной фазы. Приближение доминирующего стока. Учет диффузии примеси. Сравнение с экспериментом. Синтез нитрида кремния. Промежуточный слой фазы пространственное положение . Синтез тройной фазы оксинитрида кремния. Диффузионноальтернативно стоковая модель . Приближение доминирующего стока. Сравнение с экспериментом. Синтез тройной фазы в условиях фотовозбуждения Эг . Результаты и выводы второй главы. Приложения ко второй главе. Оценка роли Лапласова давления. Доли бинарных фаз в растущей фазе тройного химического состава. Ионный синтез через защитный слой окисла. Модель фотостимуляции дефектнопримесных реакций в . Приложения к третьей главе. Механические напряжения в ионнооблученных слоях. Численная оценка электростатических нолей вне и внутри разупорядоченных областей. Оценка температуры отжига дивакансий в поле деформаций. К примеру, показатель преломления полимера, особенно смеси РММА и Р, меняется с составом смеси от 1.


II результате брэгговской дифракции, электромагнитное излучение из некоторого частотного диапазона вообще не может распространяться
по любому направлению внутри кристалла. Это означает, что падающее извне излучение отражается, а внутри кристалла интенсивность поля экспоненциально спадает. Либо поле излучения некоторого внутреннего источника или захваченное в световод излучение оказывается локализованным в виде ближних полей вокруг источника или вокруг световода. Собственно говоря, рассуждения такого рода, но с разными целями, и привели i vi и v к введению понятия фотонной структуры. Согласно его рассуждениям, если край электронной зоны полупроводника перекрыть запрещенной зоной электромагнитного спектра фотонной структуры, то излучательная рекомбинация электронов и дырок будет запрещена, т. Коль скоро брэгговская дифракция приводит к появлению запрещенной зоны в электромагнитном спектре фотонных структур, то система геометрически упорядоченных в объеме рассеивателей, имеющих действительную и положительную величину диэлектрической приницаемости, в сочетании с умеренным локальным разупорядочением является средой, в которой возможно наблюдение экспоненциального спада интенсивности электромагнитного поля по мере увеличения расстояния от источника . После этого небольшого отступления, вернемся к практическим приложениям фотонных структур и рассмотрим пример микросвеговода с дефектом типа вакансии, изготовление которого осуществляется по КИИ технологии. На рис. Изображенная структура изготовлена из КНИ материала 0.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

10.02.2018

Бесплатные авторефераты диссертаций

Дорогие друзья! Мы развиваем наш сервис и спешим сообщить, что на нашем сайте для ознакомления доступны афторефераты диссертаций. На данный ...

02.01.2018

С Новым 2018 Годом!

Поздравляем Вас с Новым 2018 Годом и наступающим Рождеством! Желаем Счастья и новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.040, запросов: 135