Методики, улучшающие качество компонентов микроэлектронной аппаратуры космического назначения

• Автор: Сипета, Роман Владимирович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 133 с. : ил.

Оглавление
Введение.
ГЛАВА 1. Закономерности эволюционного изменения конструкции и технологии производства интегральных схем и печатных плат как основных компонентов микроэлектронной аппаратуры, определяющих ее интеграцию.
1.1. Закономерности эволюционного изменения интеграции и функциональной плотности интегральных схем

1.1.1. Дополнительный контроль и испытания компонентов микроэлектронной аппаратуры.

1.2. Закономерности изменения конструкции и технологии производства печатных плат

1.2.1. Влияние защитного покрытия на влагостойкость печатных плат..

1.3. Комплексный подход к обеспечению качества микроэлектронной аппаратуры

Задачи диссертации

ГЛАВА 2. Причины и механизмы отказов интегральных схем.

2.1. Зависимость эффективности анализа отказов от оснащенности участка

2.2. Причины и механизмы отказов интегральных схем.
2.2.1. Временное изменение интенсивности отказов
интегральных схем
2.2.2. Характер и виды отказов в ИС
2.2.3. Модели отказов в ИС
2.3. Априорная оценка надежности ИС по коэффициенту выхода годных
2.4. Оценка эффективности применения дополнительного контроля
и отбраковочных испытаний.
2.4.1. Пример оценки эффективности применения дополнительного контроля и отбраковочных испытаний.
Выводы к Главе 2
ГЛАВА 3. Причины параметрических отказов печатных плат
3.1. Факторы, определяющие влагоустойчивость печатных плат
3.1.1. Актуальность
3.1.2. Методика эксперимента.
3.1.3. Изменение электрических свойств печатных плат без защитного покрытия.
3.1.4. Обсуждение результатов
3.2. Влияние защитного покрытия на влагоустойчивость печатных плат.
3.2.1. Изучение влияния защитного покрытия на эксплуатационные свойства печатной платы
3.2.2. Обсуждение результатов исследования.
3.3. Процесс нанесения защитного покрытия
Выводы к Г лаве 3
ГЛАВА 4. Методическое обеспечение системы менеджмента качества предприятия.
4.1. Обоснование принятия решения, обеспечивающего повышение эффективности функционирования организацииразработчика и изготовителя интегральных схем
Заключение
Литература


Методики исследований базируются на теоретических физикохимических основах материаловедения полупроводниковых приборов, интегральном термодинамическом подходе в диагностике и надежности МЭА, математическом моделировании. Апробации работы. XXXIV Международная конференция «Информационные технологии в науке, образовании, телекоммуникации и бизнесе ГГ + 8&Е'». Украина, Крым, Ялта-Гурзуф, - мая, г. Семинар «Пути решения задач обеспечения современной радиоэлектронной аппаратуры надежной электронной компонентной базой» ОАО «РНИИ «Электронстандарг», - января г. Научно-технический совет ФГУП «НИИ «Субмикрон». Публ икании. Основные результаты диссертации опубликованы в печатных работах: в 8 статьях (в том числе в изданиях, рекомендованных ВАК), 1 тезисе доклада на международной научно-технической конференции 1Т + 8&Е' н 1 докладе на семинаре ОАО «РНИИ «Электронстандарт». Струюпура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, содержащих рисунков и таблицы, заключения и списка использованной литературы. Общий объем работы - 3 страницы. Методика оценки эффективности проведения ДОИ и ДНК ЭРИ, основанная на оценке изменения интенсивности отказов в результате испытаний ЭРИ, позволяющая оптимизировать состав испытаний. Закономерности изменения электрических свойств печатных плат от влажности и времени выдержки, позволяющие оценить степень изменения эксплуатационных характеристик. Зависимость номенклатуры анализируемых объектов от степени оснащенности участка анализа отказов. ГЛАВА 1. Закономерности эволюционного изменения конструкции и технологии производства интегральных схем и печатных плат как основных компонентов микроэлектронной аппаратуры, определяющих ее интеграцию. Микроэлектроника принадлежит к одному из наиболее сильных, решающих факторов, определивших не только научно-технический прогресс, но и социальную структуру человеческого общества ХХ1-го века. Не развитие оказалось столь стремительным, что далеко не сразу и не в полной мере удалось разобраться в закономерностях этого процесса даже тем, кто этот прогресс олицетворял. Закономерности эволюционного изменения интеграции и функциональной плотности интегральных схем. Интегральные схемы как объект исследований и производства развиваются в направлении роста интеграции и функциональной плотности. Эта тенденция носит долговременный характер, поэтому целесообразно определить стимулы, способствующие достижению этих целей и определить общие объективные закономерности процессов разработки и производства микроэлектронной аппаратуры (МЭА) [1]. В году (через шесть лет после изобретения интегральной схемы), в процессе подготовки выступления, Гордон Мур (один из основателей компании 1гДе1) высказал предположение, что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые два года. Представив в виде графика рост производительности микросхем, он обнаружил закономерность: новые модели микросхем разрабатывались спустя более-менее одинаковые периоды (- месяца) после появления их предшественников, а емкость их при этом возрастала каждый раз примерно вдвое. Если такая тенденция продолжится, заключил Мур, то мощность вычислительных устройств экспоненциально возрастёт на протяжении относительно короткого промежутка времени. Это наблюдение получило название «закона Мура». Оно является наиболее известным и по сегодняшний день этот закон не нарушается. Рис. В качестве подтверждения экспоненциальной закономерности роста производительности ИС во времени можно привести данные о количестве транзисторов, интегрированных в процессоры (рис. Этот рост неуклонно приводит к повышению производительности вычислений, измеряемой в миллионах операций в секунду (М1Р8). С уровнем роста интеграции изделий микроэлектроники неизменно достигается снижение стоимости, улучшение показателей надежности, отнесенных у единичной функции, уменьшение массы и габаритов изделий [3, 4]. Технический и экономический эффект, получаемый при практической реализации указанной тенденции, обеспечивает ее стабильный и долгосрочный характер. Отмеченные закономерности обусловлены спецификой условий групповых методов обработки, применяемых при изготовлении ИС. Стоимость ИС почти пропорциональна ее площади [5], т.