Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3 B5

• Автор: Хренов, Григорий Юрьевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 399 с. : ил.

Введение. Часть 1. Одномерная физикоматематическая модель

1. Метод решения кинетических уравнений. Методы решения уравнения Пуассона. Метод решения уравнений непрерывности. Часть 2. Обзор литературы. Постановка задач. Особенности переноса электронов в канале 3 ПТШ с субмикроыным затвором. Сравнение экспериментально измеренных и 2 расчетных характеристик ПТШ. Исследование зависимости электрических 9 характеристик субмикронных ПТШ от конструктивных параметров их структуры. Моделирование процессов переноса в субми кронных i I. Математическое моделирование электрон 7 пых процессов в субмикронных ТБ. Часть 3. Математическое моделирование физических 0 процессов в субмикронных БГТ. Обзор литературы. Постановка задач. Метод расчета высокочастотных характери 8 стик БГТ. Перенос горячих электронов в базовой обла 1 сти БГТ. Моделирование процессов электронного пе 7 реноса в базе когерентного БГТ. Вертикальное масштабирование коллектор 7 ного перехода БГТ. Емкость коллекторного перехода в БГТ с не 4 планарным скрытым слоем коллектора.


Ярким примером таких задач являются задачи, связанные с инжекцией носителей заряда через резкие гетеро переходы. На небольшом удалении от гетероперехода функция распределения больше походит на сдвинутую максвелловскую функцию, причем если слой в который инжектированы носители достаточно тонок например базовый слой в БГТ, то такой вид
функции сохраняется во всей интересующей области. Аналогичная ситуация наблюдается когда носители заряда внезапно попадают в область сильного электрического поля. Характер переноса в таких условиях может быть квазибаллистическим и вид функции распределения мало напоминает функцию распределения из КГМ. Возможна также ситуация, когда концен трация носителей заряда настолько велика, что частота парных столкновений частиц гго сорта является наибольшей из всех частот, определяющих функционирование микроэлектронных приборов, т. При таком соотношении между частотами, межчастичное взаимодействие будет контролировать не только перераспределение энергии, но и перераспределение импульса между носителями заряда гго тина. В этом случае, называемом обычно ГМ, функция распределения по импульсам частиц гго типа представляет собой сдвинутую максвелловскую функцию, моменты которой концентрация г,, импульс частиц единичного объема щ щт,, здесь щ макроскопическая скорость носителей заряда гго типа, и плотность их средней энергии Иф удовлетворяют уравнениям гидродинамики заряженного газа см. Таким образом, система уравнений ГМ образуется из системы уравнений КГМ 1. Ъ описывает процессы передачи импульса фононам, примесям и дефектам.