Математическое моделирование электронных процессов в полевых и биполярных транзисторах на основе соединений A3 B5
- Автор:
Хренов, Григорий Юрьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
399 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Аналитические модели статических и переходных характеристик длиннобазовых биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ) | Николаенков, Юрий Кимович | 2000 |
| Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов | Ткачев, Александр Юрьевич | 2011 |
| Импедансные фильтры на поверхностных акустических волнах с веерными преобразователями | Аверкин, Сергей Владимирович | 2002 |