Долговечность интегральных схем и методы ее прогнозирования

Долговечность интегральных схем и методы ее прогнозирования

Автор: Строгонов, Андрей Владимирович

Шифр специальности: 05.27.01

Научная степень: Докторская

Год защиты: 2006

Место защиты: Воронеж

Количество страниц: 382 с. : ил.

Стоимость: 250 руб.

скачать автореферат бесплатно

Долговечность интегральных схем и методы ее прогнозирования  Долговечность интегральных схем и методы ее прогнозирования 

деградации электрических параметров ИС
4.2. Использование моделей АР и АРССфильтров для моделирования 9 процесса деградации параметров ИС в системе Ма1ЬаЬшиНпк
4.3. Адаптивное моделирование и одношаговое прогнозирование процесса деградации электрических параметров ИС
4.4. Прогнозирование процесса деградации электрических параметров ИС с использованием моделей временных рядов по рядам деградации без пропусков
4.5. Прогнозирование процесса деградации электрических параметров ИС с использованием моделей временных рядов по рядам деградации с пропусками
4.5.1. Заполнение пропусков рядов деградации методом 4 интерполяции и прогнозами линейной регрессии
4.5.2. Верификации прогнозов АРПССмоделей
4.6. Прогнозирование стойкости ИС к длительным механическим воздействиям с использованием АРПССмоделей
4.7. Прогнозирование процесса деградации электрических параметров 4 биполярных транзисторов с использованием АРПССмоделей
4.9. Выводы к главе 4
ГЛАВА 5. Использование нейронных сетей для прогнозирования деградации 8 электрических параметров ИС
5.1. Однонаправленные многослойные нейронные сети
5.2. Использование нейронной сети с радиальными базисными 0 элементами и обобщеннорегрессионной сети в задачах прогнозирования
5.3. Использование линейной сети в задачах прогнозирования
5.4. Сравнение прогнозов нейронных сетей с прогнозами моделей временных рядов и цифровых фильтров
5.5. Выводы к главе 5
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ
П.1. Описание алгоритмов нелинейного метода наименьших квадратов 4 для оценивания параметров моделей временных рядов
П.2. Пример использования нелинейного МНК для оценивая параметров 9 АРмоделей временных рядов
П.З. Пример использования нелинейного МНК для оценивая параметров 3 АРПССмоделей временных рядов
П.4. Программные модули нелинейного МНК для оценивания 9 параметров моделей временных рядов
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ


Применение формулы для расчета интенсивности отказов возможно только для случая, когда отказы вызываются одной причиной, иначе наблюдается сильное искажение результатов, и справедливо для того случая, когда ранние отказы исключены отбраковочными испытаниями НС. Таким образом, оценка интенсивности отказов БИС, полученная с использованием распределения 2, справедлива только для периода нормальной работы ИС на кривой интенсивности отказов. В табл. КМОП ИС фирмы I, полученные по результатам ускоренных испытаний по методике . Расчетные значения интенсивности отказов и среднего времени наработки на отказ для случая, когда за время испытаний отказов не зарегистрировано, с использованием статистики хиквадрат приведены в табл. В табл. БИКМОП БИС фирмы I с 0. В табл. Температура испытаний была равной 5 С. Экстраполируемая температура С. Получаемый коэффициент ускорения при энергии активации 0. В и при энергии активации 0. В . В табл. ППВМ, по iтехнологии создание металлизированной перемычки при программировании фирмы . В таблице 1. БИС фирмы методика , I3. В табл. I программируемые пользователем специализированные БИС ii по методике динамическая ЭТТ, максимальное напряжение питания V, 8 ч, температура испытаний 5 С, энергия активации 0. В с использованием iтехнологии . Табл. ПЛИС фирмы по методике V , ч, температура испытаний минимально 5 С, максимально 0 С. По результатам тестирования среднее время наработки на отказ составляет для СБИС семейств X приблизительно лет, а для семейств МАХ лет, причем для последних почти половина отказов связана с потерей заряда в элементах памяти, в конфигурирующих электрически стираемых перепрограммируемых ПЗУ ЭСППЗУ, ЕЕРЯОМтранзисторов . Ку ехр15 5. К 5 . МО9 ФИТ. На рис. ППВМ выполненных по технологии статических оперативных запоминающих устройств СОЗУ компании ХПтх. Интенсивности отказов получены по результатам ускоренных испытаний статическая и динамическая электротермотренировка при температуре 5 С свыше 0 приборов в течение двух лет, при этом общая наработка на отказ составила млн. На рис. БИС фирмы Ас1е1 . Таблица 1. Температура испытаний, С Приборочасы ИА при температуре испытаний Рабочая температура, С Коэффициент ускорения при энергии активации 0. Таблица 1. Таблица 1. Таблица 1. Результаты испытаний полупроводниковых изделий фирмы ii за г. ЭСППЗУ
Таблица 1. Таблица 1. Таблица 1. Таблица 1. X, X К, X 0 3 слоя мет. СОЗУ 6. XI ОКА, X 0 4 слоя мет. СОЗУ 4. X , 1 ОКЕ, А РЕХК 0. СОЗУ 3. АРЕХКЕ 0. СОЗУ 2. АРЕХКС, XII 0. Симет. X, X 0. ЭСППЗУ 6. X, X 0. ЭСППЗУ 4. X 0. ЭСППЗУ 3. Стандартное 0,0 по техн. СППЗУ УФ 6. В табл. БИС, новый технологический процесс, новый корпус используемые ведущими зарубежными фирмами. Наиболее отработанной в настоящее время является методика испытаний, предусмотренная стандартом США I3 . Военный стандарт явился основой для разработки большого числа программ обеспечения надежности БИС, изготовляемых различными фирмами США и других стран . Общий анализ причин отказов ИС рис. РЭА однозначно показывает перераспределение механизмов отказов с катастрофических, характерных для гг, в сторону преобладания причин, обусловливающих постепенные отказы за счет протекающих в материалах элементов схем медленных деградационных процессов 5 . Отказы изза дефектов в ИС, время проявления которых самое различное, могут зарождаться при выполнении технологических операций. Эта таблица показывает наиболее типичное соответствие между временной областью проявления и основными механизмами отказов ИС, связанными с технологическими процессами. Рис. Рис. Интенсивность отказов специализируемых БИС фирмы Ас1е
i
в
5
ч
1
1
Рис. Таблица 1. Энергия активации в зависимости от действия различных механизмов отказа. Пробой модзагвориого диэлектрика дефекты связанные с диэлектриком 0. Меже лонные дефекты изоляционных диэлектриков 0. Дефекты рп переходов 0. Дефекты маскирования поли, диффузия 0. Дефекты металлизации 0. Элек ром иг рация 0. Загрязнения поверхностность. Приобретение потеря заряда в элементах ЭСППЗУ 0. Горячие электроны 0. Усредненная энергия активации по результатам НТОЬ 0. КМОП ВИС 0. КМОП 1 I серий ХСЗХХХ. Л, ХСХХА, ХС4ХХХ. ХС4ХХХЕ 0. КМОП ВИС серий I5, 2. БиКМОП БИС различных серий 0.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

10.02.2018

Бесплатные авторефераты диссертаций

Дорогие друзья! Мы развиваем наш сервис и спешим сообщить, что на нашем сайте для ознакомления доступны афторефераты диссертаций. На данный ...

02.01.2018

С Новым 2018 Годом!

Поздравляем Вас с Новым 2018 Годом и наступающим Рождеством! Желаем Счастья и новых научных ...


Все новости

Время генерации: 0.040, запросов: 135