Границы раздела в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими слоями
- Автор:
Афанасьев, Петр Валентинович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов | Оболенский, Сергей Владимирович | 2002 |
| Резистивное переключение в мемристорах на основе стабилизированного диоксида циркония | Коряжкина, Мария Николаевна | 2018 |
| Исследование и разработка элементной базы цифровых устройств обработки информации на основе принципа термодинамической обратимости | Лосев, Владимир Вячеславович | 2006 |