Границы раздела в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими слоями
- Автор:
Афанасьев, Петр Валентинович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5 | Фетисова, Валентина Михайловна | 2002 |
| Брэгговская дифракция рентгеновского излучения на кристаллах, промодулированных поверхностными акустическими волнами | Иржак, Дмитрий Вадимович | 2002 |
| Интегральные полупроводниковые матричные преобразователи магнитного поля | Шубин, Сергей Викторович | 2000 |