Границы раздела в тонкопленочных структурах с сегнетоэлектрическими слоями
- Автор:
Афанасьев, Петр Валентинович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах | Ханин, Юрий Николаевич | 2002 |
| Исследование и разработка методов увеличения производительности интегральных схем многоядерных микропроцессоров на основе повышения эффективности коммутационной логики | Путря, Федор Михайлович | 2009 |
| Нелинейное взаимодействие модулированного света и переменного электрического поля в полупроводниковых фотоприемниках | Червяков, Георгий Георгиевич | 2000 |