Глубокие энергетические центры в интегральных схемах на арсениде галлия

• Автор: Ильичев, Эдуард Анатольевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 245 с. : ил.

1.2 Актуальность, тенденции развития цифровых ОаАэ ИС

1.2 Оценки предельных параметров ИС

1.3 Специфика ваАз ИС и проблемы арсенидгаллиевых цифровых ИС

1.4 Структура диссертации, ее основные характеристики

. 5 Основные положения и научнотехнические результаты

1.6 Научная новизна

1.7 Практическая ценность

Глава 2. Влияние глубоких уровней полуизолирующей подложки на параметры приборов и интегральных схем . с.

2.1 Паразитное управление по подложке состояние проблемы

2.2 Экспериментальные исследования эффектов паразитного управления по подложке статический и динамический режимы измерений

2.3 Физическая модель эффекта паразитного управления по подложке

2.4 Динамика эффектов паразитного управления по подложке
2.5 Выводы
Глава 3. Определяющее влияние глубоких уровней подзатворных областей на параметры арсенидгаллиевых приборов и схем.
. 7 с.
3.1 Параметры 6 структур и транспортные характеристики электронов в б структурах
3.2 Кристаллическое качество 8структур и электрофизика приборов
3.3 Оптимизация архитектуры 6структур для интегральных схем
3.4 Определяющее влияние ГУ подзатворных областей на параметры полевых транзисторов
3.5 Физическая модель влияния ГУ подзатворных областей на модуляционные характеристики приборов
3.6 Анализ результатов исследований
3.7 Нейтрализация влияния ГУ модификация свойств поверхности структуры новая архитектура 8структур для ваАз ИС
3.8 Выводы
Глава 4. Глубокие уровни планарных изолирующих областей и автомодуляция проводимости каналов полевых транзисторов.
8.2 с.
4.1 Механизмы полевой стимуляции эмиссии носителей с ГУ подложки
4.2 Особенности характеристик ПТ на 5структурах. Автомодуляция проводимости канатов ПТ
4.3 Автомодуляция и особенности характеристик дифференциальных ИС
4.4 Система характеризации подложек и приборных структур
Гпава 5. Система характеризации подложек и приборных структур для ИС различного функционального применения
3. 5 с.
5.1 Неразрушающий метод диагностики параметров ГУ подложек и приборных структур
5.2 Примеры исследования подложек и приборных структур с помощью РОСГУ
5.3 Неразрушающая диагностика кристаллического совершенства
5.4 Локальные упругие напряжения и параметры глубоких уровней
Глава 6. Изолирующие гетерослои твердых растворов и приборные структуры для микро и оптоэлектронных ИС.
6. 1 с.
6.1 Проблема буферных слоев
6.2 Электрофизические и крисчталлические свойства изолирующих гетерослоев
6.3 Изорлирующие гетерослои в приборных применениях
Заключение
Литература


Москва. Разработанная система характеризации приборных структур и исходных подложек использована в производстве приборных структур в НИИМВ, в разработках цифровых и высокотемпературных ИС вНИИФП, а также при входном контроле приборных структур для СВЧ техники НИИ Исток, НИИМП Зеленоград. Разработанные 8 легированные структуры новой архитектуры и на их основе полевые транзисторы с пониженными токами утечки, использованы в НИИФП в разработках интегральных схем с повышенной помехоустойчивостью и большой степенью интеграции, а также в разработках элементной базы высокотемпературных интегральных схем. Таким образом, в настоящей главе диссертации обоснована актуальность задачи, рассмотрены основные тенденции и проблемы в развитии СаАъ ИС. С учетом различных видов ограничений и результатов моделирования выполнены оценки предельных параметров ИС. На основе анализа литературных данных и экспериментальных результатов предварительных исследований выявлены факторы, реально ограничивающие развитие СаАв ИС. Анализ зависимостей основных параметров характеризующих указанные факторы от температуры и электрического поля позволил выдвинуть гипотезу об определяющем влиянии глубоких уровней на развитие арсенидгаллиевых ИС. С учетом специфики арсенида галлия и твердых растворов па его основе термостойкость, многокомпонентность, хрупкость выбраны методы исследований для проверки выдвинутой гипотезы. В настоящей главе определена также структура диссертации и основные положения выдвигаемые на защиту.