Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Курмачев, Виктор Алексеевич
05.27.01
Кандидатская
2013
Москва
113 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
Содержание
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. АНАЛИЗ КОНСТРУКЦИЙ,
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ ЄаХ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ И МИС
Основные требования к СВЧ транзисторам 10 импульсных СВЧ передатчиков Х-диапазона и пути их реализации
СВЧ транзисторы на широкозонных мате-
риалах и гетероструктурах
Структуры СВЧНЕМТ на основе AlGaN/GaN
Технология создания НЕМТ на основе Са
Конструктивные особенности АЮаК'/СаЫ гетеро-
структур и методы их выращивания
Омические контакты НЕМТ на основе СаМ.
Полевые затворы в НЕМТ: барьеры Шоттки
Изоляция поверхности
Особенности фотолитографических процес-
Методы контроля параметров гетероэпи-
таксиальных структур, транзисторов и ИС в процессе разработки и производства
Оптические методы контроля
Рентгеновские методы контроля
Электронно-микроскопические методы исследования
структурного совершенства широкозонных полупроводников и гетеро структур
Растровая электронная микроскопия (РЭМ)
Примеры методов контроля гетероструктур
Некоторые примеры отечественных разработок в
области создания элементов СВЧ-устройств
Применение алмазных пленок в технологии ЄаІЧ
Транзисторы на алмазных подложках
Возможности использования алмазных слоев для вы-
равнивания температуры поверхности АЮа N/С] а NIIЕ М1'
Цель и основные задачи диссертационной
работы
ГЛАВА 2. МОДЕЛИРОВАНИЕ И
ИССЛЕДОВАНИЕ КОНСТРУКЦИЙ И ТЕХНОЛОГИИ МОЩНЫХ СаХ СВЧ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРОВ
Тепловые режимы мощных СаХ СВЧ гете-
ротранзисторов в импульсных передатчиках
Тепловые режимы мощных СаЫ СВЧ гетеро-
транзисторов
Моделирование и исследование тепловых ре-
жимов GaN СВЧ транзисторов в импульсных передатчиках
Исследование и моделирование электриче-
ского пробоя ваХ СВЧ транзисторов при работе в режиме максимальной импульсной выходной мощности
Исследование влияния конструкции и тех-
нологии металлизации барьеров Шоттки на надежность ваХ СВЧ транзисторов
Выводы
ГЛАВА 3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ
МАРШРУТ СОЗДАНИЯ СВЧ
ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ИХ ОСНОВЕ И МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
Технологический маршрут создания СВЧ
транзисторов и интегральных схем
Выбор контрольных точек и методов кон-
троля технологического процесса создания СВЧ транзисторов
Контроль качества подложек БіС
Контроль качества гетероструктур АІ-
СаМ/ОаМ/БіС или аналогичных
Электрические и оптические методы кон-
троля параметров элементов транзисторных структур
Контроль качества металлизации
Методы обеспечения совместных процессов 79 производства кремниевых полевых транзисторов и А1-ЦаХ/СаХ/БіС-НЕМТ
СВЧ приборы и устройства на основе критических
технологий
Сопоставление технологических операций совмест-
ного производства 57 и АІСаК/СіаК’/ЗіС приборов
Выводы
ГЛАВА 4. РЕЗУЛЬТАТЫ
ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ РЕШЕНИЙ СОЗДАНИЯ СаХ СВЧ ГЕТЕРОТРАНЗИСТОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ДЛЯ РАДИОЛОКАЦИОННЫХ СИСТЕМ Х-ДИАПАЗОНА
Реализация технологического процесса со-
здания ЄаХ СВЧ транзисторов и интегральных схем
ЦаХ СВЧ транзисторы для радиолокацион-
ных систем Х-диапазона
Твердотельные СВЧ модули на СаХ СВЧ
транзисторах для радиолокационных систем X-диапазона
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
^ 80,0 - 60.0 4й0 | 20,0
36,94 36,94 40,93 42,
29, утл. град.
Рис. 1.24. Рентгеновская дифрактограмма структуры Оа1Ч, построенная при точном соблюдении условия брэгговской дифракции для ОаЫ [81].
Наблюдаемые интерференционные пики от кристаллографических плоскостей (0002) слоя ОаЫ для всех исследованных структур имели высокую интенсивность, что свидетельствует о хорошей регулярности кристаллографического построения данного слоя.
Приведенные в качестве примера на рис.1.23 и 1.24 интерференционные максимумы можно использовать при входном контроле гетероструктур, выращенных на различных подложках.
1.4.3. Электронно-микроскопические методы исследования структурного совершенства широкозонных полупроводников и гетероструктур.
Подробное рассмотрение методов электронной микроскопии изложено в [86].
Для работы на просвечивающих электронных микроскопах требуются специально подготовленные тонкие препараты - реплики или «фольги», прозрачные для электронов [87, 88]. Просвечивающая электронная микроскопия достаточно широко используется в исследовательских лабораториях для наблюдения дефектов как в приповерхностных областях полупроводников и структур на их основе, так и в объеме материала, для чего приготовляются фольги на поперечных срезах образцов. Хорошо изучены наиболее распространенные в полупроводниковых материалах виды дефектов: дефекты упаковки, дислокации, преципитаты кислорода и др.
1.4.4. Растровая электронная микроскопия (РЭМ).
Растровый электронный микроскоп (РЭМ) можно эффективно использовать для контроля технологии гетеротранзисторов на широкозонных материалах [89]. В основе РЭМ лежит сканирование поверхности образца электронным зондом и детектирование (распознавание) возникающего при этом широкого спектра излучений. Сигналами для получения изображения в РЭМ, в основном, служат вторичные и отраженные электроны.
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Полевой датчик Холла на основе структур "кремний на изоляторе" | Леонов, Алексей Владимирович | 2013 |
Разработка и исследование конструктивно-технологических основ создания мемристорных структур на вертикально ориентированных углеродных нанотрубках | Ильина, Марина Владимировна | 2016 |
Разработка функциональной модели программируемой логической интегральной схемы типа программируемой пользователем вентильной матрицы с одноуровневой структурой межсоединений | Мотылёв, Максим Сергеевич | 2013 |