Влияние конструктивных и технологических факторов на предельные параметры и режимы работы мощных ВЧ и СВЧ ДМОП транзисторов

• Автор: Григорьев, Роман Григорьевич
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 137 с. : ил.

1.1. Конструкции и особенности физических основ работы мощных ВЧ и

СВЧ МОП транзисторов.

1.2. Вольтамперные характеристики мощных МОПтранзисторов.

Максимальный ток стока.

1.3. Особенности вольтамперных характеристик мощных МДП

транзисторов с коротким каналом и с учетом разогрева.

1.4. Максимальное пробивное напряжение истоксток.

1.5. Область безопасной работы МОП транзисторов в статическом и

импульсном режимах работы

1.6. Тепловое сопротивление истоккорпус

1.7. Сопротивление растекания тока стока Ис.

1.8. Параметры большого сигнала Р, Кур, гс, для усилителей мощности на
ДМОП транзисторах
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
ГЛАВА 2. РАСЧЕТ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ИСТОККОРПУС В СТАТИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ
2.1. Аналитический метод расчета теплового сопротивления т.к в ДМОП транзисторах
2.2. Исследование влияния топологии истоковых секций на тепловое
сопротивление Ятик.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2.
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ РАЗОГРЕВА ТОКОМ СТОКА НА ВЫХОДНЫЕ ВАХ
И КРУТИЗНУ В МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРАХ
3.1. Вывод аналитических соотношений для зависимости выходных ВАХ от разогрева током стока.
3.2. Примеры расчетов выходных ВАХ и крутизны для СВЧ МОП транзисторов с коротким каналом
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
ГЛАВА 4. РАСЧЕТ СОПРОТИВЛЕНИЯ РАСТЕКАНИЯ СТОКА Яс И
МАКСИМАЛЬНОГО ТОКА СТОКА 1СМлкс ПРИ РАБОТЕ СВЧ МОП
ТРАНЗИСТОРОВ НА БОЛЬШОМ СИГНАЛЕ.
4.1. Расчет максимального тока стока 1с млкс.
4.2. Расчет сопротивления растекания тока стока
4.3. Расчет сопротивления растекания тока стока методом сеток.
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ОТКРЫВАНИЯ ПАРАЗИТНОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА В СВЧ ДМОП ТРАНЗИСТОРАХ
ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ


Первый униполярный транзистор, который работал но принципу, предложенному Шокли, продемонстрировали Дейки и Росс 6. Полевой транзистор с рп переходом в качестве затвора представляет собой проводящий канал с двумя омическими контактами стоком и истоком. Когда на сток подано положительное напряжение относительно истока, электроны в канале перемещаются от истока к стоку. Третий электрод структуры затвор образует выпрямляющий рппереход с каналом. Очевидно, что сопротивление канала будет изменяться с изменением толщины обедненных слоев, распространяющихся в канал, поэтому рассматриваемый полевой транзистор представляет собой резистор, управляемый напряжением на затворе. Полевой транзистор типа металлполупроводник МПтраизистор был предложен в г. СаАэ, эпитаксиально выращенном на полуизолирующей СаАэ подложке 6. Принцип действия МПтранзистора идентичен принципу работы полевого транзистора с рп переходом в качестве затвора. Различие состоит лишь в том, что в МПтранзисторе в качестве затвора использован выпрямляющий контакт металлполупроводник вместо рп перехода. МПтранзисторы обладают технологическими и некоторыми другими достоинствами. Так, например, при изготовлении МПтранзисторов используются сравнительно низкотемпературные технологические процессы, в то время как для создания полевого транзистора с рп переходом требуется высокотемпературная диффузия. Отметим также малое сопротивление и малое падение напряжения вдоль канала МПтранзистора. Кроме того, в МПтранзисторах оказываются допустимыми более высокие уровни рассеиваемой мощности металлический затвор является хорошим теплоотводом.