Разработка и исследование методов проектирования цифровых заказных СБИС

• Автор: Ковалев, Андрей Владимирович
• Шифр специальности: 05.27.01, 05.13.12
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Таганрог
• Количество страниц: 189 с.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ. АДАПТИРОВАННЫХ К САПР ЭЛЕМЕНТОВ. Вспомогательные элементы для гибкой цоколевки блоков СБИС. Топологические микрофрагменты для изгиба блоков. Конструкции ПСМОПэлементов. Структура ПСМОП. Топология ПСМОПэлементов. Сравнительный анализ результатов моделирования ПСМОПэлементов
2. Выводы. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ СИНТЕЗА ТОПОЛОГИИ ЗАКАЗНЫХ СБИС. Методы размещения элементов и блоков СБИС. Алгоритм размещения разногабаритных блоков СБИС, основанный на методах имитации эволюции. Разработка генетических операторов. Релаксационный метод одномерного размещения элементов СБИС . СБИС. Выводы. Метод изгиба блоков. Выводы . ВНЕДРЕНИЕ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОТЫ 0
1. На данном этапе развития КМОПсхем актуальна задача разработки конструктивных вариантов логических элементов, обеспечивающих дальнейшее повышение степени интеграции вплоть до 8 вентилей на см2 и выше . Наряду с переходом к нанометровым размерам в традиционных КМОПсхемах предлагаются и новые конструкции самих транзисторов.


Однако совмещение каналов в планарном варианте требует дополнительных изменений в конструкции полевого транзистора. Субмикронные планарные совмещенные МОПструктуры ПСМОП на пподложке с диэлектрической изоляцией обладают хорошими электрическими характеристиками, допускают изготовление традиционными технологическими методами в рамках современных производств на мегафабах и минифабах производственных модулях, работоспособны при низковольтном питании. Первые ПСМОП логические элементы описаны в работе , там же приведено численное моделирование их статических характеристик. Отметим, что разработке и исследованию статики простейших планарных инжекционнополевых инверторов на сходных физических принципах с использованием полевого транзистора с управляющим выпрямляющим переходом были посвящены работы отечественных и зарубежных авторов В. Я. Кремлев, Б. Г. Коноплев, В. Vi . Субмикронная ПСМОПструктура на пподложке при технологической норме 0,3 мкм обеспечивает высокую плотность упаковки элементов вплоть до вентилей на квадратный сантиметр. Глубокосубмикронная ПСМОПструктура с диэлектрической изоляцией при норме 0,1 мкм обеспечивает высокую плотность упаковки элементов вплоть до вентилей на квадратный сантиметр . Переход на совмещенные МОПструктуры позволяет резко уменьшить их площадь на кристалле, например, в 5 раз по сравнению с КМОПэлементами . Высокая плотность размещения элементов интегральных микросхем создает большие трудности при реализации соединений между элементами. Поэтому оптимальность размещения элементов на поле кристалла определяет быстроту и качество их трассировки 1,,.