Локализованные и резонансные состояния мелких акцепторов в напряженных полупроводниковых гетероструктурах и одноосно деформированном германии
- Автор:
Козлов, Дмитрий Владимирович
- Шифр специальности:
05.27.01, 01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2003
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
151 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизмы генерации излучения среднего и дальнего инфракрасных диапазонов при продольном транспорте электронов и смешении оптических мод в полупроводниковых микроструктурах А3В5 | Дубинов, Александр Алексеевич | 2005 |
| Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов | Ткачев, Александр Юрьевич | 2011 |
| Исследование влияния конструкции и электрофизических параметров р-п-р-п структур на переходные процессы в быстродействующих тиристорах | Ковров, Алевтин Михайлович | 1986 |