Локализованные и резонансные состояния мелких акцепторов в напряженных полупроводниковых гетероструктурах и одноосно деформированном германии

• Автор: Козлов, Дмитрий Владимирович
• Шифр специальности: 05.27.01, 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 151 с. : ил

Содержание
Введение

Глава 1. Мелкие акцепторы в гетероструктурах СеСе8 и пСаАвСаАБ

1.1. Расчеты спектра мелких примесей в гетероструктурах с

квантовыми ямами обзор литературы

1.2. Метод расчета энергетических уровней акцепторов в напряженных структурах с

использованием гамильтониана Латтинжера 4x4 .

1.3 Спектры фотопроводимости гетероструктур

Глава2. Квазнстационарные резонансные состояния в гетероструктурах СеСе8 и ВаАвСаАв с квантовыми ямами

2.1 Поглощение света, связанное с резонансными состояниями примеси

2.2 Структура волновых функций акцепторных состояний, относящихся к различным подзонам размерного квантования,
в гетероструктурах с квантовыми ямами . ,
2.3 Наблюдение в спектрах фотопроводимости гетероструктур линий, обусловленных квазистационарными состояниями
ГлаваЗ. Резонансные состояния мелких акцепторов в одноосно деформированном германии
3.1 Локализованные и резонансные
состояния мелких акцепторов в Сс и
3.2 Вариационные расчеты состояний мелкого
акцептора в одноосно деформированном германии
3.3 Метод расчета локализованных и резонансных состояний в одноосно деформированном германии
3.4 Фотопроводимость одноосно деформированного
германия и твердого раствора веБ
Глава 4. Акцепторы в гетероструктурах Се с квантовыми ямами
4.1 Мелкие акцепторы в структурах на основе и веБ
4.2 Расчет спектра мелких акцепторов в гетероструктурах ЭЮе
4.3 Оценка химического сдвига для акцепторов в гетероструктурах в1Юе
Заключение
Приложение 1 Угловая зависимост ь
коэффициентов разложения по функциям свободных частиц в аксиальном приближении
Приложение 2 О численном решении интегрального уравнения 1.
для нахождения акцепторного спектра
Литература


В работах 6,7 также вариационным методом были проведены расчеты энергии нижних возбужденных нечетных состояний акцепторов в гетероструктурах СаАяАЮаАБ. Нужно отметить, что в работах 6,7 было использовано аксиальное приближение, т. В этом приближении сохраняется проекция полного момента на нормаль к квантовой яме, и состояние акцептора может быть охарактеризовано таким квантовым числом. Основное состояние соответствует проекция полного момента 3 в единицах К. Так же как и в случае доноров, эффекты пространственного ограничения волновой функции оказывают влияние на энергетический спектр акцепторов в структурах СаЛзАЮаАБ 6,7. Однако в случае акцепторной примеси влияние такого ограничения носит двойственный характер. С одной стороны, ограничение приводит к дополнительной локализации волновой функции около примесного иона и, тем самым, увеличивает энергию связи по сравнению с объемным полупроводником, как и в случае доноров. С другой стороны, размерное квантование приводит к расщеплению подзон легких и тяжелых дырок и к уменьшению как эффективной массы носителей, так и энергии связи акцептора. Тяжелые в направлении роста структуры подзоны имеют легкую массу в плоскости квантовой ямы около дна подзон. Закон дисперсии дырок в плоскости квантовой ямы оказывается непараболичным эффективная масса дырок увеличивается при отступлении от дна подзоны изза взаимодействия подзон. Уменьшение размеров ямы приводит к уменьшению такой непараболичности, и тем самым средняя эффективная масса дырок в нижней подзоне уменьшается, что должно приводить к уменьшению энергии ионизации. Рисунки 1.