Разработка дубителей меховой овчины с использованием циклических карбонатов и продуктов на их основе

• Автор: Салимова, Альфия Ильбрусовна
• Шифр специальности: 05.19.05
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 150 с. : ил.

1 Кристаллическая структура редкоземельных цирконов

2 Кристаллическое поле в редкоземельных соединениях

3 Магнитоупругие свойства редкоземельных соединений

Магнитоупругий вклад в тепловое расширение

Магнитоупругие аномалии упругих констант

Магнитострикция

4 Методы расчета

Псевдоспиновый формализм

Формализм кристаллическогополя и.обобщенных начальных восприимчивостей У

ГЛАВА 2. МАГНИТОУПРУГИЕ АНОМАЛИИ ТЕПЛОВОГО РАСШИРЕНИЯ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ СОЕДИНЕНИЙ СО СТРУКТУРОЙ ЦИРКОНА

1 Магнитоупругий гамильтониан в мультипольном приближении

2 Магнитоупругий вклад в тепловое расширение тетрагональных соединений
3 Тепловое расширение редкоземельных ванадатов
Мультипольные моменты редкоземельных ионов Рг, 1, ТЬУЬ в ванадатах
Критерий применимости квадруполыюго приближения
Тепловое расширение решетки ванадата Сс1У
Магнитоупругий вклад в тепловое расширение ЯУ
4 Тепловое расширение редкоземельных фосфатов
Мультипольные моменты редкоземельных ионов в фосфатах
Магнитоупругий вклад в тепловое расширение ТЬР и ТтР
Выводы к главе 2

ГЛАВА 3. МАГНИТОУПРУГИЕ АНОМАЛИИ УПРУГИХ КОНСТАНТ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ВАНАДАТОВ
1 Магнитоупругий вклад редкоземельных ионов в упругие константы
2 Аномалии температурных зависимостей упругих констант ванадатов ТЬ, Ву и Но
3 Аномалии упругих констант в Тт У
Температурные зависимости
АЕэффект
4 Сравнение одно ионных магнитоупругих и парных квадрупольных коэффициентов по ряду редкоземельных ванадатов
ГЛАВА 4. МАГНИТОУПРУГИЕ СВОЙСТВА ИТТЕРБИЕВЫХ ЦИРКОНОВ
1 Расчет магнитострикции
2 Определение параметров кристаллического поля с учетом магнитной восприимчивости
УЬР
УЬУ
3 Магнитострикция
УЬР
УЪУ
4 Магнитоупругий вклад в упругие константы
УЬР
УЬУ
5 Одноионные магнитоупругие и парные квадрупольные коэффициенты в редкоземельных цирконах
Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА


Таким образом, в случае РЗ ионов КП не нарушает схему построения энергетического спектра свободного иона и его можно считать возмущением, снимающим 1кратное вырождение мультиплетов и слабо смешивающим во вгором порядке теории возмущений состояния с различными . При этом полный угловой момент приблизительно остатся хорошим квантовым числом. В теории групп имеются две теоремы, касающиеся кратности вырождения энергетических уровней иона в КП. Теорема Крамерса гласит, что для систем с нечетным числом электронов присутствует двойное вырождение для всех энергетических состояний в электрическом поле решетки. Остаточное вырождение может быть снято только наложением магнитного поля и обменными взаимодействиями между парамагнитными ионами. Теорема ЯнаТеллера утверждает, что окружение, действующее на ион с вырожденным основным состоянием, за исключением крамерсовского дублета, самопроизвольно приведет к перестройке решетки, понижающей симметрию, т. Это означает, что ионы с четным числом 4Гэлектронов всегда имеют синглетное основное состояние. Гамильтониан Н для иона, помещенного в КП, может быть записан в виде ННрНСр, где Нр гамильтониан свободного иона, а Нет гамильтониан кристаллического окружения РЗ иона. Обычно считается, что собственные значения и собственные функции Нр известны, тогда гамильтониан НСр можно рассматривать как возмущение. Отметим основные этапы процедуры построения гамильтониана КП. Определяется потенциал электростатического ноля Уг, действующий на ьй электрон в 4Гоболочке. Он получается в результате суммирования потенциалов, создаваемых отдельными ионами кристалла, расположенными в окрестности рассматриваемого РЗ иона.