Резистивные материалы и изделия на основе хромита лантана

• Автор: Шевчик, Андрей Павлович
• Шифр специальности: 05.17.11
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 313 с. : ил.

Введение

Обзор литературы

Хромиты редкоземельных элементов

Хромит лантана

Электронная структура

Электрическая проводимость

Природа электрической проводимости

Электроннодырочная проводимость

Ионная проводимость

Синтез
Спекание
Термическая диссоциация
Выводы по главе 1
Цели и задачи диссертации
Резистивные материалы на основе хромита лантана
Блоксхема системного анализа резистивных материалов
Критериальный анализ пассивности стохастических фазомозаичных структур к
рекристаллизации
Влияние количества фаз на эволюционную активность поликристаллических
веществ
Обобщенный критерий для оценки эволюционной
активности
Выводы но главе 2
Состав, формирование и свойства резистивных материалов на
основе хромита лантана
Подбор диэлектрика
Фазовый состав
Электронная структура
Электропроводность
Спекание
Микроструктура резистивных материалов
Температура эвтектики
Термодинамический анализ
Равновесный состав пара
Влияние газовой среды на равновесный состав пара
Схемы равновесной термической диссоциации
Равновесная концентрация оксида хрома VI
Экспериментальное исследование термодеструкции и испаряемости.
Механическая прочность
Термическая прочность
Выводы по главе 3
Резистивные изделия на основе хромита лантана
Выводы по главе 4
Свойства и применение резистивных изделий на основе хромита лантана
Термонаиряженное состояние резистивных изделий
Влияние конфигурации резистивного изделия на концентрацию термических
напряжений 7
Термонапряженное состояние резистивного изделия с защитным слоем
Технологические решения изготовления изделий на основе многокомпонентных
резистивных материалов 5
Формование заготовки
Обжиг
Металлизация коммутационных участков
Состав и формирование защитных слоев
тепловых модулях
Конструкция и расчет футеровки теплового модуля
Эксплуатационные характеристики теплового модуля
Выводы по главе 5
Основные выводы и результаты по работе
Библиографический список
Введение


Экспериментальное исследование термодеструкции и испаряемости. Р1, палладия Рб, родия Ш1. ИКизлучателей, катализаторов дожигания отходящих газов автомобилей. ЬаСЮз. Ьа,СаСг. В результате формируется дефицит хрома, изменяющий состав материала. II класса опасности. Такое сочетание теплофизических свойств
неблагоприятно с точки зрения формирующихся в материале термических напряжений. РНП. С 1 6. Ю2. С 3, 7 . С ч. Мо замедляет процесс старения . Мо. С 3, . Мо2 приведены в таблице 1. С . РЗЭ и иттрия У. СьОз Ьп Ьа, 6, 8т, Сс1. РЗЭ, а также хромитов РЗЭ в оксиде хрома III Сгз и оксидах РЗЭ. Все хромиты РЗЭ материалы высшей огнеупорности. РЗЭ снижается с увеличением атомного номера лантаноида Ьп рис. РЗЭ равна 0. Ом1 см1 рис. Ьп с одновременным уменьшением объема элементарной ячейки. Хромиты РЗЭ химически устойчивы в агрессивных средах , . РЗЭ , . РЗЭ. ЗО2 3 . Сг . Сг3 е сЛ
Ог 4е 2. Б РЬпт, орторомбическая , с пара
метрами решетки К м а 5. Ь 5. Ю см3 2. ЬаоГо. СЮз п 1. С а 9. К1 то же для ЬаоБго. СгОз . ЮК1 то же для . К1 то же для . К1 то же для . Сао. Са0. О . Гц то же для Гаого. СгОз со0 1. Гц то же для ГаоГолбСгОз со0 1. Гао. Бго. СгОз со0 1. Гц то же для ЬаагсмСЮз со0 1. Гц абсолютная термоЭДС хромита лантана состава Га0. К Б 3 мкВК то же для Гао. ВК то же для ЬаГолСгОз 8 1 мкВК то же для Гао. Зго. См
Цэф Цвк Т в законе КюриВейсса ум при температуре выше
0 К Дэф 4. Для ГаойшСгОз Цэф 4. ГаоголСЮз 4. ГаоголбСЮз 4. ГаолЭго. СЮз хэф 4. Гао. ГолСЮз р эф 3. ГаоБго. ГаоголбСЮз 0Р 6 К то же для Га8го. К ЦсгЗ 2. ЭСХА . ЬаСЮз представлены в работе . РФС. Сг, лантана и кислорода О. В, СгЗр эВ, эВ. Сг2р с одной стороны и 3 с другой. Эти 2 модели взаимно дополнили друг друга. СгОб9 и 1. В 2, 6. В р 3, 7. В 2, 8. В 6i, 9. В 4, . В 5ае, . В СгЗр 3, . В 6, 0. В р 1еи, 0. В 2, 1. В , 2. В, 8, 3. В , 3. В 8, 3. В 3, 3. В р 5, 4. В р 1а2и, 4. В р 7, 5. В , . В 2, . В 7, . В 5 6i, . Танабе и Сугано . Сг, имеющей терм 4А2, в 2 конфигурацию, имеющей терм 3Т . С , . Сг6 в материале рис. СаО. ЬаСЮз хромита кальция соответствует росту концентрации Сг6 в материале. СаО. ЬаСгОз не превышает 2 . ЬаСЮз полупроводник ртипа. ЬаСгОз равна 9. Сг в ЬаСЮз. ЬаСгОз используют на практике в технике высоких температур 5, 6. Ва 7. ЬаДОз. В4 , 8. Сг4, что означает образование электронных дырок в позициях Сг. ЬаолБго. Ю атм, для 0. Ю атм. Р0г. Больцмана. Подвижность малых поляронов р можно рассчитать. Вероятность туннелирования Р в этом случае равна 1. ЬаСгОз расстояние между атомами Сг равно 0. Слагаемое примерно равно 0. А и В постоянные. ЬаГдСЮз, где 0 0. Е оказалась равной 0. ЬаоГо. СгОз 0. ЬаоГоСгОз 0. Ьао. Го. Ьао. СгОз 0. Ьао. ЗгоСЮз 0. Эг вплоть до 0. При дальнейшем увеличении значения . ЬаГдСЮз электропроводность растет более медленно. ЬаСЮз . ЭДС 8, что указывает на ртип полупроводниковой проводимости материала. ЬаСЮ3 Б сильно зависело от Р0. Нееля Т, зависит от стехиометрии хромита лантана. К , 0 К . Сг3, ионов Сг4. Иоф в 1. Б спиновое кванто
вое число Сг3. ЬагСгОз, где х 0 0. Кроме того, измерена абсолютная термоЭДС в интервале 0 0 К. Абсолютная термоЭДС для всех составов Ьа. Небольшую энергию активации примерно 0. ЬаСг. В с. А и Б постоянные б 0. Са и Со. Са или Со увеличивает его электропроводность. ЬахСъ. Ст. СоуО, где х 0. Со1 и Сг4. Со подтверждает такое объяснение. ЕСо и хрома ЕСг, то есть к Т Есг. Действительно, для хромита лантана состава Ьао. Сао. Со. Т равна примерно 0. Со4.