Макроструктура и свойства стеклоэмалевых покрытий

• Автор: Шардаков, Николай Тимофеевич
• Шифр специальности: 05.17.11
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 268 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

ГАЗОВЫЕ ВКЛЮЧЕНИЯ ПУЗЫРЬКИ В ПЛЕНКЕ СТЕКЛОЭМАЛЕВОГО РАСПЛАВА Методика эксперимента

Характеристики газовых пузырьков пленке силикатного расплава

Характеристики одиночного пузырька

Характеристики совокупности пузырьков

Характер равновесия растущего пузырька с расплавом

Состав газов при эмалировании

Газовыделение при нагревании стальной подложки

Газовыделение при нагревании стеклоэмалевой фритты

Газовыделение при обжиге стеклоэмалевого покрытия на стали

Г азовыделение при обжиге стеклоэмалевого покрытия на
алитнрованной стали
ТВЕРДЫЕ ВКЛЮЧЕНИЯ НА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЕ ПЛЕНКИ РАСПЛАВА С ПОДЛОЖКОЙ
Взаимодействие железа с расплавленной эвтектической смесью 1аС1КС1, содержащей ионы никеля, кобальта и меди Взаимодействие железа с расплавом, содержащим ионы никеля Взаимодействие железа с расплавом, содержащим ионы меди Взаимодействие железа с расплавом, содержащим ионы кобальта Оптикомикроскопичсскис наблюдения за образованием осадков при взаимодействии никель и медьсодержащих расплавов с железом
Параметры макроструктуры островковых пленок 1, Со и Си на Ее
Микрорентгеноспектральный анализ поверхности железа Методика обработки данных микрорснтгеноспсктрального анализа Распределение диаметра основания островков Распределение расстояния между центрами островков Распределение высоты островков
Кинетика доставки ионов выделяющегося металла из объема расплава к межфазной границе подложкарасплав
ВЛИЯНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ МАКРОСТРУКТУРЫ НА СВОЙСТВА
СТЕКЛОЭМАЛЕВЫХ ПОКРЫТИЙ
Прогнозирование свойств стеклоэмалевых покрытий
Модель стеклоэмалевого покрытия
Влияние газовых пузырьков на защитные свойства
Определение доли поверхности, блокированной газовыми
пузырьками
Определение доли поверхности, занятой островковыми пленками Сплошность стеклоэмалевых покрытий
Изменение электрической емкости стсклоэмалсвых покрытий в процессе эксплуатации
Регистрация сквозных дефектов в стсклоэмалсвых покрытиях Электросопротивление сплошных и дефектных эмалевых покрытий
Эффективность защиты вольфрама от высокотемпературного окисления
Влияние пленок кобальта на прочность сцепления стсклоэмалевого
покрытия со статью
ХИМИЧЕСКАЯ СТОЙКОСТЬ ЭМАЛЕЙ
Изменение химического состава поверхностного слоя эмали при ее
взаимодействии с 3ым раствором С
Влияние состава на скорость выщелачивания эмалей
Влияние замены оксидов щелочных металлов
Влияние замены оксидов щелочноземельных металлов
Влияние замены оксидовстсклообразователей
Схематичное представление влияния взаимной замены оксидов на
водо и кислотоустойчивое гь эмалей
Синтез безгрунтовых легкоплавких эмалей
Синтез натриевожелезоборосиликатных эмалей
Синтез барийсодержащей эмали
Синтез безлитиевой эмали
Синтез цирконийсодержащей эмали
Влияние состава на щелочеустойчивость стекол в системе Ыа
БОг, КзОБЮг, ЫаЮ2КЮ
СМАЧИВАЕМОСТЬ МАТЕРИАЛОВ СИЛИКАТНЫМИ РАСПЛАВАМИ
Краевые углы силикатных расплавов на платине Метод малой капли на тонкой нити
Влияние состава силикатных расплавов на величину краевого угла Контактные углы силикатных расплавов на плоских подложках из инертных материалов Методика эксперимента Результаты эксперимента
Факторный анализ влияния состава, вязкости и поверхностного натяжения расплава на величину контактного угла
5.2.4. Обсуждение результатов
5.2.5. Изменение контакт ного угла со временем
5.2.6. Форма капли расплава стеклоэмали
5.3. Контактные углы силикатных расплавов на плоских подложках из
оксидных материалов
5.3.1. Методика и результаты эксперимента
5.3.2. Факторный анализ влияния вязкости, поверхностного натяжения и
состава на величину контактного угла силикатных расплавов на подложках из оксида алюминия и оксида кремния
5.3.3. Термодинамический анализ
5.4. Контактные углы силикатных расплавов на стальной подложке
5.4.1. Воспроизводимость контактных углов на стальной подложке
5.4.2. Влияние отдельных оксидов на величину контактного угла
силикатных расплавов на стальной подложке
5.4.3. Влияние групп оксидов с близкими свойствами на величину
контактного угла силикатных расплавов на стальной подложке
Выводы
6. СИНТЕЗ ЭМАЛЕЙ ИЗ ОТРАБОТАННЫХ КАТАЛИЗАТОРОВ
6.1. Краткая характеристика отработанных катализаторов
6.2. Расчет состава шихты из отработанных катализаторов
6.3. Использование медноцинкового, железохромового и
алюмосиликатного катализаторов для синтеза эмалей
6.4. Использование кобальтсодержащего, железохромового и
алюмосиликатного катализаторов для синтеза эмалей
6.5. Синтез грунтовой эмали из отработанных катализаторов
ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА


ДР 2а
здесь о поверхностное натяжение расплава стекла гь г2 радиусы сливающихся пузырьков следует, что более вероятны слияния между пузырьками, имеющими близкие размеры рис. Из зависимости вероятности слияний от размера пузырьков можно сделать вывод, что для пузырьков определенного диапазона размеров слияния являются более вероятными, чем для пузырьков вне этого диапазона рис. О 1. Я
Диаметр пузырьков, мкм
Рис. Плотность вероятности распределения перепада давлений в сливающихся пузырьках при различном внешнем давлении аргона а, б 0. Рис. Плотность вероятности слияния от размера пузырьков. Давление аргона а, б 0. Диаметр разрыва. Наряду с ростом и слиянием пузырьки в пленке, достигшие определенного размера разрываются лопаются. Распределение диаметра пузырьков перед разрывом максимального диаметра по нормальному закону рис. Можно отметить, что если со временем средний максимальный диаметр пузырьков практически не меняется, то при повышении внешнего давления заметно увеличивается табл. Во многих случаях эта величина близка к значению толщины пленки, определяемой с помощью микрометра. Отсюда следует, что пузырек разрывается чаще всего тогда, когда его диаметр становится соизмеримым с толщиной пленки. Подобное возможно только в том случае, если зарождение пузырька происходит на границе расплава с твердой подложкой, а его рост не приводит к отрыву пузырька. Рис. Плотность вероятности распределения пузырьков по значениям максимального диаметра при различном внешнем давлении аргона а, б 0. Гистограмма экспериментальные данные. Сплошная линия график нормального распределения. Число слияний. Если считать, что какойлибо выбранный пузырек в результате слияний не исчезает, а лишь присоединяет к себе другой, то используя численные значения скорости роста, времени жизни и максимального диаметра можно оценить, сколько слияний испытает такой пузырек до исчезновения в результате разрыва. Здесь и скорость роста пузырька тж временной интервал между слияниями пузырьков ранее обозначенный как время жизни пузырька множитель 0 учитывает, что более вероятным является слияние пузырьков одинакового диаметра. Чил2 1. Если подставить в это выражение средние значения максимального диаметра, скорости роста и временного промежутка между слияниями табл. Рассчитанное число слияний практически точно совпадает со средними значениями числа слияний пузырька, полученных из непосредственных наблюдений п2, п1, п6. Таким образом, если под давлением аргона 1 ат разрывается один пузырек из пяти или шести, то то при пониженном давлении каждый третий. Число пузырьков, объемная доля газовой фазы, площадь межфазной поверхности. При гомогенном зародышеобразован и и в бесконечно большом объеме число и суммарный объем пузырьков должны либо расти, либо оставаться постоянными. Уменьшение числа пузырьков при их постоянном суммарном объеме возможно только на заключительной стадии стадии коалесценции, когда газ из маленьких пузырьков растворяется и диффундирует в большие . В пленках стекловидных расплавов уменьшение числа пузырьков, объема газовой фазы и площади межфазной поверхности может происходить в результате процессов слияния и удаления разрыва пузырьков ,. В том случае, когда преимущественным процессом являются слияния, число пузырьков со временем должно уменьшаться, а суммарный объем оставаться примерно постоянным. При разрывах уменьшаться должно и число, и объем пузырьков. Преимущественное зарождение, напротив, должно приводить к увеличению числа пузырьков, а их рост при постоянном числе к увеличению объема газовой фазы и площади межфазной поверхности. Исходя из вышесказанного, уменьшение суммарного объема пузырьков при незначительном изменении их числа под давлением аргона 2 ат может быть объяснено удалением пузырьков из пленки и постоянном их зарождении при незначительном росте. Уменьшение суммарного объема пузырьков при уменьшении их числа под давлением 0. Поскольку под давлением 1 ат при уменьшении числа пузырьков их объем меняется незначительно, можно заключить, что основным процессом в этом случае является слияние пузырьков рис.