Структура и свойства конструкционных износостойких материалов на основе карбида кремния, получаемых методом реакционного спекания

• Автор: Гаршин, Анатолий Петрович
• Шифр специальности: 05.16.01, 05.16.06
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 268 с. : ил

ВВЕДЕНИЕ. Глава I. КАРБИД КРЕМНИЯ КАК ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ВЕЩЕСТВО. Глава 2. НЕКОТОРОЕ ВИДЫ ИЗНОСОСТОЙКИХ МАТЕРИАЛОВ КОНЗТРУКЦИОНШГО НАЗНАЧЕНИЯ НА ОСШВЕ ТЕХНИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ. Плотные i материалы, получаемые методом горячего прессования . Пиролитически освященные iматериалы . Краткие выводы из обзора литературы и постановка задач исследования. Глава 3. Приготовление шихты и прессование заготовок. Влияние состава шихты на объемную усадку прессованных изделий при их силицирундем обжиге . Плотность прессованных образцов и содержание карбида кремния в них после сияицируипего обжига. Влияние природы углеродистого материала на структуру реакционноспеченного карбида кремния. Механизм формирования структуры реакционноспеченного i материала. Эпитаксиальное осаждение вторичного карбида кремния на зернах первичного i при сияицировании заготовок i Б1связка 1
удовлетворительно согласуется значение 9КГ4 ат. I3I3 X 3,Т, где х с, ат. Карбид кремния существует в двух модификациях кубической i со структурой типа сфалерита символ Пирсона СР8 , пр.


Однако, в отдельных случаях позже i был получен из легкоплавких расплавов алюминия, кремния и цинка при 8К. По данным ряда авторов при температурах 2I 3i перекристаялизовывается в i, а наиболее быстрая перекристаллизация идет при К. Выше температуры К i термически разлагается на элементы. Истинное положение границы между областями устойчивого существования i и i однако неизвестно до настоящего времени. Предполагается, что переход ii осущестляется через газовую фазу, поскольку энергия активации процесса такого перехода составляет 0, кДжмояь и близка к значению теплоты испарения i , равной 6 кДжмоль. Установлено, что большое влияние на образование 3 i и с i оказывает не только температура, но и давление и наличие примесей. Так, Скейс и Слек получали кристаллы I при температуре К и выше под давлением ,4 кПа. При таком давлении может наблюдаться переход обi с вi , а при наличии примесей . К например, при I3. Присутствие примесей таких элементов как а1 , в , Ре приводит к стабилизации с4формы I . Рассмотренные выше диаграммы состояния системы i рис. Однако при высоких температурах требуется знание условий разложения карбида кремния. Согласно данным Б. Степени протекания и молярные доли компонентов н4 этих реакций в зависимости от температуры Т,К приведены на рис. Под степенью протекания реакций в данном случае понимается доля распавшегося i , соответствующая реакции, идущей по схемам I4. Из рис. I может иметь место только при температуре ниже К. С повышением температуры содержание i , i2 и i увеличивается, а содержание i уменьшается.