Математическое моделирование технологических процессов : На примере автоэпитаксии кремния

• Автор: Матюшкин, Игорь Валерьевич
• Шифр специальности: 05.13.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Долгопрудный
• Количество страниц: 122 с.

1.1. Анализ патентной литературы.

1.2. Обзор литерату ры по автоэпитаксии кремния.

1.3. Обзор литературы по теории нормальных алгорифмов

и теории родов структур.

Глава 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ АВТОЭНИТАКСИИ

КРЕМНИЯ ДИХЛОРСИЛАНОВЫМ МЕТОДОМ

2.1. Физикохимические особенности нанесения

толстых эпитаксиальных слоев хлоридиым методом.

2.2. Кинетическая модель автоэпитаксии кремния дихлорсилановым методом.

2.3. Оценка неоднородности толщины эпитаксиального слоя.

2.4. Оптимизация гехнолоюэкономических параметров эпитаксиального наращивания толстых слоев кремния.
Глава 3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
АНАЛИЗ ПОНЯТИЙ
3.1. Технологические проблемы микроэлектроники
3.2. Уровни описания технологии микроэлектроники
3.3. Понятийный анализ технологических процессов микроэлектроники
3.4. Имитационная модель технологического маршрута на языке теории нормальных алгорифмов
Заключение
Список литературы


На поверхности ППподложки из химического соединения формируют углубление так, что в непосредственном контакте с боковой наклонной поверхностью с ориентацией 1 в кристаллографической плоскости появляются горизонтальные поверхности с другой ориентацией. Затем на поверхности подложки осуществляют выращивание из газовой фазы путем реакции термического разложения ППсоединения и в результате того, что скорость выращивания кристаллов на боковой поверхности значительно ниже скорости выращивания на других контактирующих с боковой поверхностью поверхностях, на боковой поверхности образуется более тотпеий монокрист алличсский слой. Третье большое направление связано с общими способами получения приборов или их частей. В ряде патентов поразному обыгрывается роль светового в частности, УФ излучения. В описан способ выращивания с помощью испарения световым лучом. Хороший способ управления концентрацией легирующих примесей указан в . При осаждении на подложку пленки материала из паровой фазы в реактор подают газисточник основного материала пленки и гаисточник легирующей примеси. При направлении на подложку УФ в диапазоне нм концентрация примеси в растущей пленке уменьшается. Атомы примеси, содержащиеся в осаждаемой на подложку пленке кремния, освобождаются и улетучиваются из пленки в результате разрыва ковалентных связей атомов примеси с кремнием под воздействием УФ. Таким образом, регулируя дозу УФ, получаемого тем или иным участком поверхности подложки, можно управлять изменением концентрации примесей и по глубине, и по площади пленки.